美光科技宣布，其基于极紫外光（EUV）光刻技术的1γ制程DRAM已开始出货。与业界其他公司不同，美光在1γ制程中仅使用了一层EUV光刻，以降低成本和加速量产。

据韩国媒体报道，美光更多依赖成熟的氩氟浸没式光刻（ArFi）制程，而非EUV。

美光表示，EUV技术尚未完全稳定，仅在必要时使用。短期内，减少EUV使用可能提升生产速度，但长期可能影响芯片良率和性能。

相比之下，三星和SK海力士则更依赖EUV制程，其DRAM使用了多个EUV光刻层。

然而，市场人士指出，减少EUV光刻依赖可能使美光面临技术瓶颈。ArFi制程需更多步骤，可能导致良率下降。同时，随着EUV层数增加，技术难度也显著增加。美光需权衡成本与长期技术优势，以应对市场挑战。