美光1γ制程DRAM仅采用一层EUV光刻,以降低成本和加速量产
来源:陈超月 发布时间:2025-03-13 分享至微信

美光科技宣布,其基于极紫外光(EUV)光刻技术的1γ制程DRAM已开始出货。与业界其他公司不同,美光在1γ制程中仅使用了一层EUV光刻,以降低成本和加速量产。


据韩国媒体报道,美光更多依赖成熟的氩氟浸没式光刻(ArFi)制程,而非EUV。


美光表示,EUV技术尚未完全稳定,仅在必要时使用。短期内,减少EUV使用可能提升生产速度,但长期可能影响芯片良率和性能。


相比之下,三星和SK海力士则更依赖EUV制程,其DRAM使用了多个EUV光刻层。


然而,市场人士指出,减少EUV光刻依赖可能使美光面临技术瓶颈。ArFi制程需更多步骤,可能导致良率下降。同时,随着EUV层数增加,技术难度也显著增加。美光需权衡成本与长期技术优势,以应对市场挑战。

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