中国自研EUV设备预计2026年量产
来源:李智衍 发布时间:2025-03-12
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据Wccftech报道,中国自主研发的极紫外光(EUV)设备预计将于2025年第三季度开始试生产,2026年投入量产。此举旨在突破美国对EUV设备出口的禁令,推动中国本土先进芯片制造发展。
中国自研EUV设备采用雷射诱导放电电浆(LDP)技术,与荷兰ASML的LPP技术不同。该技术通过蒸发少量锡并转化为电浆,产生13.5纳米EUV光,具有高效节能的特点。目前,该设备正在华为东莞工厂进行测试。
若LDP技术EUV设备成功商用化,将有望挑战ASML在微影技术领域的地位。此前,中国哈尔滨创新团队已研发出满足微影市场需求的放电电浆EUV光源,波长为13.5纳米。
中国自研EUV设备的量产将为中国本土芯片制造提供重要支持,推动中国在全球半导体产业中的地位进一步提升。
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