长鑫存储复制韩厂策略,低价攻占DRAM市场
来源:赵辉 发布时间:2025-03-05 分享至微信

中国存储器业者长鑫存储,正通过低价策略成功挑战韩国DRAM市场的主导地位。


据韩媒报道,长鑫存储自2018年以来,资本支出大幅增加,从12.5亿美元增至2024年的72.98亿美元,增长近6倍,投资规模已逼近韩国SK海力士。


长鑫存储选择在半导体产业低迷时期进行大规模投资,与韩国业者过去采取的“危机入市”策略相似。在半导体市场低迷、竞争对手缩减投资之际,长鑫存储依然能够扩大投资与产能。


自2024年下半年起,长鑫存储发动DDR4 DRAM价格战,8Gb DDR4 DRAM售价较竞争对手低约50%,市占率迅速上升至5%。这一低价攻势已对三星电子、SK海力士的DRAM获利能力造成负面影响。


韩国半导体业界担忧,韩国可能正在重蹈日本存储器产业因投资不足而失去主导权的覆辙。


据预测,长鑫存储2025年资本支出将增至76.88亿美元,投资可能聚焦高带宽存储器(HBM),计划在中国合肥工厂量产HBM2。长鑫存储的积极投资和扩产策略,正逐步改变DRAM市场的竞争格局。


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