中国存储器业者长鑫存储，正通过低价策略成功挑战韩国DRAM市场的主导地位。

据韩媒报道，长鑫存储自2018年以来，资本支出大幅增加，从12.5亿美元增至2024年的72.98亿美元，增长近6倍，投资规模已逼近韩国SK海力士。

长鑫存储选择在半导体产业低迷时期进行大规模投资，与韩国业者过去采取的“危机入市”策略相似。在半导体市场低迷、竞争对手缩减投资之际，长鑫存储依然能够扩大投资与产能。

自2024年下半年起，长鑫存储发动DDR4 DRAM价格战，8Gb DDR4 DRAM售价较竞争对手低约50%，市占率迅速上升至5%。这一低价攻势已对三星电子、SK海力士的DRAM获利能力造成负面影响。

韩国半导体业界担忧，韩国可能正在重蹈日本存储器产业因投资不足而失去主导权的覆辙。

据预测，长鑫存储2025年资本支出将增至76.88亿美元，投资可能聚焦高带宽存储器（HBM），计划在中国合肥工厂量产HBM2。长鑫存储的积极投资和扩产策略，正逐步改变DRAM市场的竞争格局。