据科技日报报道，兰州大学物理科学与技术学院联合中国科学技术大学组成的研究团队，在宽禁带半导体光电探测领域取得重要进展，成功开发出一种同时具备超快、高灵敏响应的氧化镓日盲光电探测器，有效破解了长期困扰该领域的响应度和速度两难的困境（RS困境）。

本研究创新性地提出了一种热脉冲（TPT）方法，通过精准调控Ga2O3薄膜中的温度分布，成功形成了垂直分层的晶体结构和氧空位（VO）分布，实现了对载流子生成与输运路径的优化。TCAD模拟进一步验证了VO分层结构在提高Rλ和响应速度方面的关键作用。实验表明，经过TPT处理的Ga2O3 SBPD在254 nm的紫外光照射下具有增强的性能，最高Rλ达到312.6 A/W，衰减时间缩短至40 μs，显著优于传统处理方式。

该研究以“Ultra-Fast Gallium Oxide Solar-Blind Photodetector with Novel Thermal Pulse Treatment”为题发表在材料领域期刊《Advanced Materials》，骆莉莉博士为第一作者。