三星突破NAND闪存技术,力求实现1000层堆叠
来源:龙灵 发布时间:2025-02-28
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在近日于旧金山举行的国际固态电路会议(ISSCC)上,三星电子的DS部门CTO宋在赫展示了其在半导体领域的最新技术突破,包括晶圆键合、低温蚀刻和钼应用等技术。
宋在赫透露,三星正致力于通过晶圆键合技术实现1000层以上的NAND堆叠,这项技术通过将多个晶圆结合,突破了单一晶圆堆叠的物理限制。这一技术的发展,意味着NAND闪存的存储能力和效率将大幅提升。值得注意的是,三星并非唯一探索这一方向的企业,铠侠和长江存储也在争相研发类似技术,预计将于2027年推出1000层NAND产品。
此外,三星展示的低温蚀刻技术可解决传统堆叠过程中出现的层间问题,并为更大规模的量产做好准备。这一技术通过在极低温度下进行高速蚀刻,减少了传统方法中的堆叠误差。
另外,三星还计划引入钼材料替代钨和氮化钛材料,以降低晶体管电阻,进一步提升存储器的性能。业内专家指出,随着这些技术的推进,半导体产业将迎来设备与材料市场的双重革命,技术变革带来的行业动荡将在未来几年加速上演。
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