三星将采用长江存储技术,应对NAND芯片难题
来源:陈超月 发布时间:2025-02-25
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近日,三星与长江存储达成一项重要协议,签署了 3D NAND 混合键合专利许可协议。从第 10 代 V-NAND(V10)起,三星将运用长江存储的专利技术,尤其是 “混合键合” 技术。
三星计划在 2025 年下半年量产下一代 V10 NAND,这款产品预计堆叠层数高达 420 至 430 层。当芯片堆叠层数超过 400 层时,底层外围电路会承受极大压力,严重影响芯片的可靠性。为攻克这一难题,三星决定在 V10 NAND 中采用 W2W 混合键合技术。该技术通过直接贴合两片晶圆,摒弃传统凸点连接方式,不仅缩短了电气路径,提升了芯片性能与散热能力,还优化了生产效率。
其实早在四年前,长江存储便已领先一步,将混合键合技术应用于 3D NAND 制造,并将其命名为 “晶栈(Xtacking)”,同时构建了完备的专利布局。目前在 3D NAND 混合键合关键专利方面,掌握核心技术的公司主要有美国 Xperi、中国长江存储以及中国台湾台积电。三星在相关技术研发上,几乎难以避开长江存储的专利布局。
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