三星电子近日将第七代高带宽存储器HBM4E的目标带宽上调至2.5TB/秒，较之前提高了25%，意图在速度规格上超越竞争对手SK海力士和美光。

在国际固态电路研讨会ISSCC 2025上，三星展示了这一成果，将HBM4E的数据传输速度从8Gbps提高到10Gbps，实现了带宽的大幅提升。

此前，业界计划HBM4E保持2TB/秒的带宽不变，提高存储器堆叠密度。但三星打破了这一常规，同时提高了HBM4E的容量和速度。

此外，三星还展示了全球最快速度的LPDDR5X移动用DRAM，运行速度为12.7Gb/秒，并曝光了下一代移动DRAM LPDDR6的部分规格，计划将数据输入输出端口增加到12个，速度提高50%，并应对移动AI时代的低功耗需求。

据报道，三星计划最快在2025年第一季度末向NVIDIA供应8层HBM3E产品，但初期供应量极少。而NVIDIA的12层HBM3E与HBM4的供应情况，预计将影响2025年的HBM市场格局。