近日，位于光谷的先导化合物半导体研发生产基地项目传来新进展。据长江日报消息，该项目的四座生产厂房中已有两座封顶，另外两座正在加紧建设，整个项目预计在2025年年底前实现投产运营。这一投资120亿元的高端化合物半导体材料及芯片产业化基地，将成为国内化合物半导体领域的重要力量。

该项目由全球稀散金属龙头企业先导科技集团投资建设，总建筑面积达26万平方米，包含研发中心、生产调度中心和办公大楼等19栋建筑。

其中，M1厂房将用于砷化镓衬底生产线，主要应用于5G射频芯片；M2厂房为磷化铟衬底生产线，是光通信激光器的核心材料；M3厂房将承担可调谐激光器的量产；M4厂房则是锗片生产基地，用于红外探测器的关键材料。

项目达产后，预计年产8英寸衬底材料50万片，满足全球15%的高端需求。这不仅将有力补强光谷的光通信及激光产业供应链，还将推动国内化合物半导体产业的发展。

化合物半导体被视为“后摩尔时代”的战略材料，广泛应用于5G通信、光通信、汽车电子、消费电子等领域。然而，我国在砷化镓衬底和磷化铟衬底的进口依存度仍较高，分别达到83%和90%以上。先导科技集团的这一项目，有望在一定程度上缓解国内高端半导体材料的供应瓶颈。