旺宏正积极布局新产品，重点发展3D NOR、3D NAND以及企业级SSD（eSSD），以推动业务转型与增长。公司透露，3D NOR目前已进入最后阶段，预计在2026年开始为营收作出贡献；eSSD尚处于早期研发阶段，将在3D NOR之后接棒成为新的增长动力。

旺宏指出，与NAND闪存需要按顺序读取数据不同，3D NOR具备即时存取的特性，这使其非常适用于像自动驾驶汽车这类需要瞬间反应的应用场景。

目前，已有多家汽车行业客户对旺宏的3D NOR产品表示出兴趣。公司预计今年推出4Gb产品供客户进行验证，以此进一步拓展在汽车领域的市场份额。在技术层面，现有的产品开发即将收官，现阶段已达到32层制程，能够支持4Gb至8Gb的容量，并且在这一领域几乎没有竞争对手。公司还计划推出更高阶的版本，以增强自身在市场中的竞争力。

旺宏与IBM合作开发的300层SSD项目进展顺利，主要聚焦于定制化的eSSD产品，目标市场锁定在对储存性能要求极高的应用领域。虽然eSSD目前处于早期研发阶段，但随着3D NOR逐步进入量产并实现营收贡献，eSSD有望成为旺宏下一个重要的增长引擎。

在3D NAND方面，旺宏的研发进度领先，技术成熟度高于3D NOR。目前已发展至192层技术，采用96+96层堆叠架构，能够提供512Gb至1Tb的容量，其中512Gb产品的良率已达到量产标准。此外，公司已经将300层以上的3D NAND纳入开发规划，旺宏表示，3D NAND将应用于eMMC储存产品，通过这一举措来扩大市场版图，满足不同客户群体对于储存产品的多样化需求。