AMD计划在下一代Zen6架构产品中引入三星4nm工艺
来源:龙灵 发布时间:2025-02-17
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AMD正积极推进下一代Zen6架构产品的开发,包括消费级和数据中心产品。对于CCD部分的工艺,AMD有两种选择:台积电N3 3nm级别和台积电N2 2nm级别。目前,Zen5家族的锐龙9000系列的IOD部分采用台积电4nm工艺,CCD部分则是6nm工艺,延续了锐龙7000系列的设计。
最新消息显示,AMD的下一代Zen6 IOD制造可能会切换到三星,采用4nm级别的工艺,即4LPP(SF4)。尽管三星工艺在性能和能效上稍逊一筹,但IOD并不需要太先进的工艺,且功耗也不高。三星4LPP工艺已于2022年量产,相当成熟,这也意味着成本会相对较低,适合用于制造IOD。
资料显示,三星4LPP的晶体管密度为每平方毫米1.37亿个,基本与台积电N5相当,只比台积电N4P低大约5%,但高于Intel 4 11%,仍具备一定的竞争力。利用更先进的制造工艺,AMD可以降低I/O芯片的TDP,并加入新的电源管理解决方案。
更为重要的是,新款IOD的主要需求是更新内存控制器,以支持更高速率的DDR5内存,以及一些新的DIMM设计,比如CUDIMM内存模块。通过引入三星4nm工艺,AMD有望在性能和能效方面取得平衡,同时降低制造成本。
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