AMD正积极推进下一代Zen6架构产品的开发，包括消费级和数据中心产品。对于CCD部分的工艺，AMD有两种选择：台积电N3 3nm级别和台积电N2 2nm级别。目前，Zen5家族的锐龙9000系列的IOD部分采用台积电4nm工艺，CCD部分则是6nm工艺，延续了锐龙7000系列的设计。
最新消息显示，AMD的下一代Zen6 IOD制造可能会切换到三星，采用4nm级别的工艺，即4LPP（SF4）。尽管三星工艺在性能和能效上稍逊一筹，但IOD并不需要太先进的工艺，且功耗也不高。三星4LPP工艺已于2022年量产，相当成熟，这也意味着成本会相对较低，适合用于制造IOD。
资料显示，三星4LPP的晶体管密度为每平方毫米1.37亿个，基本与台积电N5相当，只比台积电N4P低大约5%，但高于Intel 4 11%，仍具备一定的竞争力。利用更先进的制造工艺，AMD可以降低I/O芯片的TDP，并加入新的电源管理解决方案。
更为重要的是，新款IOD的主要需求是更新内存控制器，以支持更高速率的DDR5内存，以及一些新的DIMM设计，比如CUDIMM内存模块。通过引入三星4nm工艺，AMD有望在性能和能效方面取得平衡，同时降低制造成本。
