俄罗斯宣布开发EUV光刻机,旨在成本更低、更易制造
来源:ictimes 发布时间:2 天前 分享至微信

俄罗斯近日公布了自主开发EUV(极紫外光刻)光刻机的路线图,目标是制造出比ASML更便宜、更易制造的光刻机。俄罗斯的光刻机将采用11.2nm的激光光源,与ASML标准的13.5nm不同,这将导致与现有EUV设备的不兼容,并需要俄罗斯开发自己的光刻生态系统,这个过程可能需要十年或更长时间。


俄罗斯科学院微结构物理研究所的Nikolay Chkhalo领导的该项目,旨在制造性能具竞争力且具成本优势的EUV光刻机。Chkhalo表示,11.2nm波长的分辨率提高了20%,可以提供更精细的细节,同时简化设计并降低光学元件的成本。这种调整还显著减少了光学元件的污染,延长了关键部件的使用寿命。


俄罗斯的光刻机还可使用硅基光阻剂,在较短波长下预期将具备更出色的性能表现。尽管该光刻机产量仅为ASML设备的37%,但其光源功率足以应付小规模芯片生产需求。


开发工作将分为三个阶段:第一阶段聚焦于基础研究、关键技术识别与初步元件测试;第二阶段制造每小时可处理60片200毫米晶圆的原型机,并整合至国内芯片生产线;第三阶段的目标是打造一套每小时可处理60片300毫米晶圆的系统,供工厂使用。目前尚不清楚该光刻机将支持哪些制程技术,也未提及各阶段完成的时间表。

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