X-fab，作为碳化硅（SiC）晶圆代工领域的领先厂商，于12月17日宣布推出其新一代XbloX平台XSICM03。这一创新平台旨在推进SiC工艺技术在功率MOSFET的应用，通过降低单元间距，实现了在不牺牲可靠性的前提下增加每片晶圆的芯片数量和改善导通电阻。

X-fab表示，XbloX平台整合了经过验证的SiC工艺开发模块和平面MOSFET生产模块，简化了新用户的入门流程，并显著降低了设计风险和产品开发时间。通过结合经过验证的工艺模块与强大的设计规则、控制计划和失效模式及影响分析（FMEA），XbloX平台实现了更快的原型制作、更简便的设计评估和更短的市场上市时间，为客户提供了显著的竞争优势。

新一代XSICM03平台在保持稳健的工艺控制以及漏电和击穿性能的同时，减小了活动区域设计单元尺寸，允许客户创建单元间距比上一代小25%以上的SiC平面MOSFET。这一改进使得每片晶圆的芯片数量增加了30%，同时确保了栅氧可靠性和器件稳健性。

X-fab Texas的首席执行官Rico Tillner强调，新一代工艺平台以其简化的方法，满足了汽车、工业和能源应用中对高性能SiC器件日益增长的需求。公司通过加速原型制作和设计评估，使现有和新客户能够创建应用优化的产品组合，显著缩短上市时间。

X-fab的这一新平台，不仅为客户提供了创建多样化产品组合的能力，而且比传统开发方法提前多达九个月实现生产，进一步巩固了其在碳化硅晶圆代工市场的领导地位。