韩芯片技术外泄,21人被捕
来源:ictimes 发布时间:2024-12-05 分享至微信
韩国芯片产业近日遭遇重大打击,一起涉及21人的芯片技术外泄案震惊了整个行业。据韩国警方透露,这起案件的核心人物是一名64岁的三星电子前工程师,他因涉嫌挖角三星核心技术人才并向中国公司泄露20纳米DRAM内存芯片技术而被捕。
据悉,这名前工程师不仅以顾问身份参与了成都高真公司的创立,还在韩国成立了猎头公司,以高薪为诱饵,挖走了至少30名三星的半导体技术人员。这些人员在中国“复刻”了DRAM工厂,并在短短1年3个月内成功投产,而通常情况下,晶圆从测试到量产需要4至5年的时间。
这起技术外泄案的经济价值高达4.3万亿韩元(约30.4亿美元),若考虑到相关经济效益,实际损失规模可能更加庞大。除了这名前工程师外,还有两名猎头公司代表及法人因同样罪名被移送法办。
尽管韩国国家关键技术外流,但警方只能根据刑责较轻的“职业安定法”来逮捕涉案嫌犯,而非更为严厉的“产业技术保护法”。这一现状引发了修法的呼声,有观点认为,有必要针对相关法律进行修改,以严惩商业间谍,保护国家关键技术不受侵害。
除了这名前工程师外,成都高真公司的创办人、三星电子前常务兼SK海力士前副社长崔珍奭等人也已被捕,他们涉嫌违反“产业技术保护法”及“防止不正当竞争及商业秘密保护法”。
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