三星电子在其最新的3D NAND光刻工艺中大幅减少光刻胶（PR）使用量，减少了一半，这一举措大幅降低了生产成本，但也给供应链带来了显著影响，尤其是对韩国供应商东进半导体的收入前景构成了挑战。

三星的这次优化主要通过两项技术改进实现：首先，通过调整涂布过程中的转速参数，显著减少了每层涂覆所需的PR用量，同时确保涂层质量不受影响。其次，改良后的蚀刻工艺在降低材料消耗的同时，生产出的效果甚至更优。凭借这些改进，三星在降低3D NAND堆叠层数带来的高昂生产成本方面迈出了重要一步。

值得注意的是，三星在最新第7代和第8代3D NAND中引入了高粘度KrF PR，这种材料虽然提升了堆叠效率，但也对涂层均匀性提出了更高的技术要求。光刻胶的研发和生产门槛极高，这使得行业竞争格局更趋向于少数领先者掌控。