ORIENTAL SEMI(东微)公司简介

东微半导体成立于2008年，注册资本9432.6914万元，是一家技术驱动型的半导体技术公司，在作为半导体核心技术的器件领域有深厚的技术积累，专注半导体器件技术创新，拥有多项半导体器件核心专利。 2013年下半年，东微半导体原创的半浮栅器件的技术论文在美国《科学》期刊上发表，标志着国内科学家在半导体核心技术方向获得重大突破，新闻联播、人民日报等媒体均进行了头条重点报道，引起了国内外业界的高度关注。2016年东微半导体自主研发的新能源汽车直流大功率充电桩用核心芯片成功量产，打破国外厂商垄断。目前，东微半导体已成为国内高性能功率半导体领域的佼佼者，在新能源领域替代进口半导体产品迈出了坚实一步，产品进入多个国际一线客户，并受到了客户的一致好评。2022年2月10日，东微半导体登陆上海证券交易所科创板上市，证券代码：688261。

发展历程
2022
2022年2月10日，东微半导体登陆上海科创板上市，证券代码：688261。

2019
东微半导体的创新型IGBT进入量产，性能达到国际一流水平。

2018
东微半导体的GreenMOS大功率超结MOSFET成为国内市场的知名品牌，在充电桩等高端应用中被众多一线客户采用。

2016
东微半导体发明的原创结构的SFGMOS实现量产，进入到新能源汽车驱动、电池保护及同步整流等应用领域。

2016
东微半导体的新能源汽车充电桩用核心功率器件芯片成功量产，并进入到充电桩核心芯片市场，被人民日报等主流媒体普遍报道。

2014
东微半导体开始量产国产化超级结系列高压大功率MOSFET，成为国内工业级大功率系列高压MOSFET的供应商。

2013
半浮栅器件技术论文在美国《科学》期刊上正式发表，并在8月9日被新闻联播头条长篇报道。团队受到时任江苏省省长李学勇、科技部副部长曹建林等领导接见。

2012
东微半导体制造出世界上首个半浮栅晶体管（Semi-Floating Gate Transistor），可用于新型存储器，感光器件及功率器件等应用。

2009
东微半导体获得苏州工业园区领军人才计划项目支持。

2008
苏州东微半导体有限公司在苏州工业园区注册成立，专注于原创半导体器件结构和工艺的创新和研发。

ORIENTAL SEMI(东微)产品
GreenMOS
高压GreenMOS系列
为适应电源系统高效率小型化的需求，东微半导体推出了新型的GreenMOS系列高压MOSFET, 采用独特专利器件结构和制造工艺，GreenMOS产品具有比常规MOSFET更快的开关速度及更柔和的开关曲线，在获得极低的动态损耗的同时最大限度抑制了开关震荡，不仅可以大大提高系统效率、降低发热量，还可以简化系统EMI设计。GreenMOS系列产品涵盖500V-900V全系列，提供高达100A静态电流的规格，最高工作频率达到2MHz以上，可以满足各种电源系统的需求。基于其高效率、低温升的特点，特别适用于快速充电器、LED电源、通讯、服务器电源、电动车充电桩等系统。



Generic通用系列
Generic系列产品包含500V~900V全系列，具有低导通电阻、低栅极电荷、静态和动态损耗低的特点，可广泛应用于各种高性能功率转换领域。
S系列(EMI优化)
S系列产品在Generic系列产品的基础上优化了开关速度，以较低的开关速度达到更好的EMI兼容性，特别适用于小功率电源系统如LED照明、充电器、适配器等领域。
E系列(EMI平衡)
E系列产品综合了Generic系列产品和S系列产品的特性，达到了开关速度和EMI的平衡，特别适用于TV电源、工业电源等领域。
Z系列(快恢复)
Z系列产品中集成了快恢复体二极管（FRD），具有快速的反向恢复速度，开关损耗极低并具有很高的可靠性，特别适用于各种半桥、全桥拓扑电路、马达驱动、充电桩等领域。
超级硅系列(SuperSi)
SuperSi系列产品特别优化了开关速度，具有极低的品质因数（FOM），同时具有比肩氮化镓功率MOSFET的开关速度，特别适用于高密度电源系统，如PD充电器、模块转换器、大屏幕电视、显示器等领域。

SGTMOS
中低压SGTMOS系列
东微的SFGMOS系列MOSFET产品采用半浮栅结构，兼备了传统平面结构和SGT结构的功率MOSFET的优点，并具有更高的工艺稳定性和可靠性及更快的开关速度、更小的栅电荷和更高的应用效率等优点。SFGMOS系列MOSFET产品涵盖20V~200V全系列，可广泛应用于电机驱动、同步整流等领域中。

IGBT
东微的IGBT芯片采用特有的Trident-Gate Bipolar Transistor (TGBT)器件结构，以得到更低的导通压降与更小的开关损耗。目前公司已先后推出第一代及第二代TGBT多个系列产品，涵盖600V~1350V电压，适合应用于光伏储能逆变、直流充电桩、汽车主驱、UPS等领域。公司亦开发出超高速系列（E系列）TGBT，工作频率达到60-100KHz，可以在满足电源系统进一步高频化的同时，实现更高的效率。

SiC MOS
第三代半导体材料功率器件是未来高性能功率器件的重要组成部分之一。东微研发团队在宽禁带半导体研究上有丰富的经验，研发了SiC MOSFET。
SiC MOSFET具有高功率密度、低反向恢复电荷、高开关频率的特性，工作温度高达200°C，可以完美替代Si IGBT在高压大功率领域的应用。

Hybrid FET
Hybrid-FET器件采用全新的器件结构和电流动态调整技术，结合了导通电流密度高与开关速度快的特点，可实现高速关断和大电流处理能力，具有更加宽广的安全工作区域和更高的产品稳定性。

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