半导体用SiC部件材料研发制造基地项目,正式入驻无锡
来源:ictimes 发布时间:2024-08-29 分享至微信
无锡惠山经开区迎来重要发展里程碑,半导体用SiC(碳化硅)部件材料研发制造基地项目于8月27日成功落户。该项目由无锡德智半导体材料有限公司(简称“德智半导体”)投资打造,总投资规模约10亿元人民币,旨在推动半导体材料产业的创新与发展。
德智半导体作为湖南德智新材料有限公司的子公司,继承并发扬了母公司在半导体碳基及碳化物陶瓷部件材料领域的深厚技术底蕴。作为国内首批采用化学气相沉积(CVD)技术研发与制造先进SiC材料的领军企业,德智半导体此次在惠山经开区的投资,将进一步提升国产半导体材料的技术水平与市场竞争力。
项目计划引入高度自动化、智能化的生产检测设备,建立包括20条集成电路外延用零部件生产线和5条碳化钽涂层生产线在内的先进生产线体系。同时,德智半导体还将建设一座一流的半导体科研实验室,为研发制造基地提供强大的技术支持与创新能力。整个项目预计将在未来五年内达到设计产能,为半导体产业链的完善与升级贡献力量。
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