业内权威机构近期大幅上调了传统DRAM第三季度合约价格的预测范围，从原先的水平提升至8%至13%的区间，这一涨幅较先前预期高出约5个百分点。此次调整的主要原因在于市场需求端的显著变化以及新技术产品对既有市场的冲击。

据机构透露，2024年7月下旬，多家DRAM主要厂商与PC原始设备制造商（OEMs）及芯片封装测试服务商（CSPs）就第三季度合约价格达成共识，结果普遍反映了价格上涨的趋势，且涨幅远超预期。这一动态直接促使机构调高了DRAM价格的预测。

值得注意的是，自第二季度以来，中国CSPs基于对美国政府可能针对AI芯片及存储器采购实施新制裁的担忧，纷纷加大了备货力度，采购规模较去年同期实现了翻倍增长。这一举动不仅刺激了DRAM厂商提升价格的信心，也间接传导至美国CSPs，迫使其不得不面对更高的采购价格。此外，服务器DRAM价格的持续攀升，也进一步加剧了PC DRAM合约价格谈判的紧张氛围。

另一方面，三星等领先厂商为抢占市场先机，已提前在工厂内启动了HBM3e（高频宽存储器）芯片的生产流程，以确保在产品验证通过后能够迅速投放市场。然而，这一举措却意外地对DDR5的生产计划造成了挤压，特别是在2024年下半年，预计原本计划用于DDR5的1纳米制程产能将被部分用于HBM3e的生产。加之SK海力士和三星等公司在2025年产能规划中提高了HBM的生产比重，这将进一步加剧HBM3e对DDR5市场的挤压效应。