近日，北京市生态环境局公布了天科合达第三代半导体碳化硅衬底产业化基地二期项目的环评审批。这一项目位于北京市大兴区，总占地面积达到52,790平方米，计划在现有厂区西侧扩建。新设施将包括生产厂房、化学品库、危废库、一般固废库以及综合楼等设施。

二期项目预计引入先进的长晶设备、晶体加工与晶片加工设备，建设6-8英寸碳化硅衬底生产线和研发中心。此举旨在提升公司碳化硅晶体和晶片的产能，预计年产导电型碳化硅衬底约37.1万片，其中6英寸衬底23.6万片，8英寸衬底13.5万片。

天科合达的扩展计划不仅是对市场需求的积极响应，更是对公司创新和技术实力的体现。随着电动汽车和可再生能源领域对碳化硅功率器件需求的持续增长，天科合达的这一扩建无疑将增强其在行业中的竞争力。

该公司已经在多个地区建设了碳化硅衬底生产基地，包括江苏徐州和深圳宝安区。2023年下半年，天科合达的营收首次突破10亿元，并且2024年预计产能将继续增长。这一系列举措将进一步推动国内碳化硅衬底市场的发展，并为公司的长远增长奠定坚实基础。

天科合达的战略布局展示了其在全球半导体市场中的雄心与决心，预示着在未来几年内，碳化硅市场将迎来新的发展高峰。