什么是FeRAM铁电存储器？
FeRAM铁电存储器是一种具有快速写入速度的非易失性存储器。融合了在断电的情况下也能保留数据的非易失性、随机存取两个特长的铁电随机存储器。
FeRAM的数据保持，不仅不需要备用电池，而且与EEPROM、FLASH等传统的非易失性存储器相比，具有优越的高速写入、高读写耐久性和低功耗性能。
本宏科技代理品牌富士通半导体的FRAM铁电存储器从开始交付给工业市场已超过22年。因此，富士通FeRAM是具有成熟量产制造经验的高性能和高度可靠的存储器。
FeRAM的结构
FeRAM中使用PZT (锆钛酸铅) 作为铁电材料。
锆 (Zr) 或钛 (Ti) 正离子在晶格中占据两个稳定位置，并且可以通过施加外部电场在两个位置之间移动。由于两个稳定位置都偏离电荷中心，因此在铁电材料中会出现两个相反方向的极化，图中向上或向下。即使去除了电场，也可以存储向上或向下极化，如果施加相反的电场，则可以在彼此之间切换。
铁电膜的上下设置有电极，构成电容器，标示出电极电压及极化量时，能够实现磁滞 (过程) ，从而能够记忆“1”或者“0”。铁电存储器就是利用了这种非易失性。
FeRAM铁电存储器种类阵容
串行接口存储器的产品阵容有：
16Kbit至4Mbit的SPI接口产品
以及4Kbit至1Mbit的I2C接口产品
使用TSOP或SOP封装形式提供256Kbit至4Mbit的并行存储器
SPI接口 (一般用途)
1) 快速读取模式时，可实现最大40MHz操作。
2) 有二进制计数器功能
3) 双SPI模式时，可实现最大7.5MHz操作。
MB85RQ8MX
MB85RQ8MLX
MB85RS4MTY
MB85RS4MLY
MB85RS4MT
MB85RQ4ML
MB85RS2MTY
MB85RS2MLY
MB85RS2MTA
MB85RS1MT
MB85RS1MT(1.7V)
MB85RS512T
MB85RS256TY
MB85RS256B
MB85RS128TY
MB85RS128B
MB85RS64VY
MB85RS64TU
MB85RS64T
MB85RS64T(1.7V)
MB85RS64V
MB85RS64
MB85RS16
MB85RS16N
MB85RDP16LX
I2C接口 (用于高可靠性应用,符合AEC-Q100可靠性实验标准)
MB85RC512TY(AEC-Q100)
MB85RC512LY(AEC-Q100)
MB85RC256TY(AEC-Q100)
MB85RC256LY(AEC-Q100)
I2C接口 (一般用途)
MB85RC1MTPNF-G-JNERE1
MB85RC512TPNF-G-JNERE1
MB85RC256VPNF-G-JNERE1,MB85RC256VPF-G-BCERE1
MB85RC128APNF-G-JNERE1
MB85RC64TAPNF-G-BDE1,MB85RC64TAPNF-G-BDERE1,MB85RC64TAPNF-G-AWE2,MB85RC64TAPNF-G-AWERE2,MB85RC64TAPNF-G-JNE2,MB85RC64TAPNF-G-JNERE2,MB85RC64TAPN-G-AMEWE1
MB85RC64APNF-G-JNERE1
MB85RC64VPNF-G-JNERE1
MB85RC16PNF-G-JNE1,MB85RC16PNF-G-JNERE1,MB85RC16PN-G-AMERE1
MB85RC16VPNF-G-JNN1E1，MB85RC16VPNF-G-JNN1ERE1，MB85RC16VPNF-G-AWE2，MB85RC16VPNF-G-AWERE2
MB85RC04PNF-G-JNERE1
MB85RC04VPNF-G-JNERE1
并行接口铁电存储器
MB85R8M1TAFN-G-JAE2，MB85R8M1TABGL-G-JAE1
MB85R8M2TAFN-G-JAE2，MB85R8M2TABGL-G-JAE1
MB85R8M2TPBS-M-JAE1
MB85R4M2TFN-G-JAE2
MB85R4001ANC-GE1
MB85R4002ANC-GE1
MB85R1001ANC-GE1
MB85R1002ANC-GE1
MB85R256FPFCN-G-BNDE1
RFID+RFAM
MB97R8110
MB97R8120
MB97R8050
MB89R118C
MB89R119B
MB89R112
验证用LSI
MB94R330
FeRAM四个重要特长
非易失性
1）电源关闭时存储的数据不会消失
2）下电时不需要备用电池来保留数据
快速写入速度
1）启用无需擦除操作即可覆盖数据
2）无需等待时间进行擦除/写入操作
高读/写耐久性
1）保证10万亿 (1013) 读/写周期
2）是EEPROM读写耐久性的1000万倍
低功耗
1）没有用于写操作的升压电路
2）比EEPROM减少92％的写入功耗
3）没有为保持数据而需要的数据保持电流
FRAM铁电存储器应用市场
物联网(Lot)、汽车、工业 (用于设施)、工业 (用于基础设施)、智能电表、医疗类、物联网
富士通官方授权代理商（FRAM、继电器、打印机芯、FRAM+RFID）
上海本宏电子科技有限公司 深圳办
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