Vishay推出具有高辐射强度和短开关时间的新型890 nm红外发光二极管
来源:电子设计圈 发布时间:2024-07-24 分享至微信
高速器件采用表面发射器芯片技术,优异的VF温度系数达 -1.0 mV/K
美国 宾夕法尼亚 MALVERN、中国 上海 — 2024年7月24日 — 日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出一款采用透明无色引线型塑料封装的新型890nm高速红外(IR)发光二极管--- TSHF5211,扩充其光电子产品组合。Vishay Semiconductors TSHF5211基于表面发射器芯片技术,优异的VF温度系数达 -1.0 mV/K,辐照强度和升降时间优于前代器件。
日前发布的发光二极管100 mA驱动电流下典型辐照强度达235 mW/sr,比上一代解决方案提高50%。器件开关时间仅为15 ns,典型正向电压低至1.5 V,半强角只有± 10°,适用作烟雾探测器和工业传感器的高强度发光二极管。这些应用中,TSHF5211可与硅光电探测器实现良好的光谱匹配。
器件符合RoHS和Vishay绿色标准,无卤素,无铅(Pb),可采用温度达260°C的无铅焊接。
TSHF5211现可提供样品并已实现量产,大宗订货供货周期为20周。
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