KAIST与三星电子携手推进BCDMOS技术,赋能半导体教育与产业创新
来源:ictimes 发布时间:2024-07-24 分享至微信
韩国科学技术院(KAIST)与三星电子宣布,双方将于本周二正式签署合作协议,共同推进130纳米双极CMOS DMOS(BCDMOS)技术的研发与应用。此次合作标志着双方在半导体领域合作的进一步深化,特别是在BCDMOS这一前沿技术上。
自2021年起,三星电子便与KAIST的IC设计教育中心(IDEC)建立了紧密的合作关系,为学生提供宝贵的28纳米逻辑工艺芯片制造实践机会,有效促进了半导体设计人才的培养。而今,双方再次携手,将合作重心转移至BCDMOS技术,旨在通过这一集成模拟、逻辑与高压器件的先进技术,为电源管理等高压高速应用提供更强有力的支持。
据悉,KAIST与三星电子计划在2024年下半年,采用BCDMOS 8英寸工艺,为来自全国13所顶尖大学的半导体设计与工程专业硕士生及博士生提供实践平台,使他们能够亲身参与芯片制造流程,积累宝贵的行业经验。此举不仅将加速BCDMOS技术的产业化进程,更将为韩国乃至全球的半导体产业输送更多高素质的专业人才。
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