近日，日本创新企业Patentix宣布成功研发出二氧化锗（GeO2）这一新型超宽能隙（UWBG）材料，旨在推动功率半导体的商业化进程。随着SiC、GaN等宽能隙材料普及，半导体行业正向UWBG材料如钻石、Ga2O3等迈进。

Patentix的GeO2材料以其4.6eV的宽能隙脱颖而出，高于传统WBG材料，适用于高电压大电流环境。虽略逊于Ga2O3和钻石，但GeO2能灵活制成p型或n型半导体，克服了钻石和Ga2O3的局限。公司已在钻石基板上成功制出Ga2O3，并早于今年初完成了GeO2肖特基二极管（SBD），预示着其商业化前景。

Patentix与Qualtec合作，于2024年5月设立了GeO2功率半导体研发基地，专注于提升GeO2在矽基板及TiO2基板上的成膜质量，以制造高品质功率半导体。其独家PhantomSVD技术确保结晶品质优于传统化学气相沉积法（CVD）。

公司计划通过琵琶湖半导体构想论坛，联合日清纺微电子、Toray Research Center、爱信等企业，加速GeO2材料的产业化进程，并建立日本UWBG材料技术专利体系，目标直指更大晶圆尺寸的GeO2及钻石、Ga2O3功率半导体产品。