自宽禁带半导体材料SiC与GaN横空出世以来，它们凭借卓越的性能迅速在电力电子设备领域掀起了一场革命。其中，GaN不仅在快充市场大放异彩，更以其迅猛之势向全功率市场挺进，甚至开始侵蚀SiC在光储、家电等传统优势领域的领地，预示着功率半导体市场的竞争格局即将迎来重大变革。

据权威调研机构Yole预测，全球功率器件市场将在未来几年内持续扩张，而GaN与SiC作为新兴力量，其市场份额有望在2028年达到31%。尤为引人注目的是，The Information Network的数据显示，GaN的复合年均增长率高达53.2%，远超SiC的42.5%，显示出GaN市场的强劲增长势头。Yole进一步指出，到2029年，GaN市场规模将突破24亿美元，特别是在汽车与移动领域，其增长势头尤为迅猛。

GaN之所以能在市场中脱颖而出，关键在于其卓越的性能。其高开关速度使得GaN能够在更高的频率下运行，从而减少了无源元件的使用，降低了系统体积和重量。在中低压应用中，GaN的开关损耗远低于SiC，效率更高。尽管SiC在高电压应用中表现优异，但GaN在成本和可靠性方面的进步正逐步缩小这一差距。随着GaN制造成本的下降和可靠性的提升，其市场竞争力愈发强大。

面对GaN技术的广阔前景，众多企业纷纷布局相关领域。在电动汽车逆变器领域，虽然SiC仍占据主导地位，但GaN凭借其高频、高效和双向转换功能等优势，正逐步崭露头角。此外，GaN在光伏微型逆变器领域的应用也取得了显著成果，如昱能科技推出的采用GaN设计的新一代光储混合微型逆变器EZHI，不仅支持高功率快速充电，还具备出色的性能表现。

同时，GaN在家电领域的应用也日益增多。以华硕推出的ROG THOR III系列电源供应器为例，其采用的GaN技术实现了高功率密度和低功耗的完美结合，为用户带来了更加高效、便捷的充电体验。