三星电子存储器事业部正在为未来的市场挑战积极做准备。据最新报道，公司自2024年6月起，已经开始讨论并筹划如何最大化DRAM和NAND Flash的产能，以应对可能出现的供应短缺。
考虑到公司正在积极投资高带宽存储器（HBM）并转换先进存储器制程，业界普遍预测2025年通用存储器产能可能下滑。为了保持市场领先地位并满足客户需求，三星决定提前行动，全力提升存储器产能。
据悉，三星计划在2024年前将HBM产能大幅提升至每月17万片。同时，他们还将对部分生产线进行技术升级，如将1z DRAM产线转换为1b DRAM，以及将西安工厂的六代3D NAND（V6）升级为八代（V8）。
这些举措将进一步提升产品质量和竞争力，但也可能对短期内的生产量产生一定影响。三星此次全力提升产能的决定，无疑是在为2025年可能出现的存储器供应紧张做足准备。
