打造十核性能怪兽!三星全速提高3nm良率
来源:ictimes 发布时间:2024-06-25 分享至微信

在智能手机芯片领域,三星一直试图通过其自研的Exynos系列与高通等巨头竞争。然而,最新的进展显示,三星在Exynos 2500的量产道路上遭遇了不小的挑战。据韩国媒体报道,Exynos 2500目前的良品率仅为20%,远低于行业标准的量产标准。不过,三星并未因此气馁,而是积极寻求解决方案,希望在今年10月前将良品率提升至60%。


这一挑战主要源于Exynos 2500所依赖的三星第二代SF3工艺。SF3工艺是三星在半导体制造领域的一项重要创新,它基于3nm GAA制程技术,旨在通过降低工作电压和提高晶体管密度来提升性能和能效。然而,目前第二代SF3工艺的良率仅为20%,远低于三星的预期。


三星在2022年开始量产第一代SF3工艺,并公布了其3nm GAA架构。这一架构通过宽通道的纳米片设计,打破了传统FinFET技术的性能限制,带来了更低的功耗和更高的性能。而第二代SF3工艺则在此基础上进行了进一步的优化,期望通过不同的栅极全能(GAA)晶体管纳米片通道宽度实现更大的设计灵活性,并显著提升芯片的PPA特性。


然而,现实却与三星的期望相去甚远。尽管三星对第二代SF3工艺寄予厚望,并期望在今年6月将良率提升至60%,以顺利量产Exynos 2500手机芯片,但目前的进展显然不如预期。


这一挑战不仅影响了Exynos 2500的量产计划,也可能对三星的高端手机战略产生重大影响。


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