在半导体技术的激烈竞争中，稳懋半导体（WIN Semiconductors Corp）近日宣布了一项重大突破。这家领先的纯化合物半导体代工厂成功扩大了其RF GaN技术组合，并推出了基于碳化硅（SiC）的毫米波氮化镓（GaN）技术测试版NP12-0B平台。这不仅标志着稳懋半导体在射频半导体技术领域的又一次飞跃，也为整个行业带来了前所未有的创新机遇。

NP12-0B平台的核心是0.12μm栅极RF GaN HEMT技术，这一技术通过多项改进，显著增强了直流和射频的耐用性，并增加了芯片级防潮性。

更令人瞩目的是，NP12-0B平台集成了多项晶体管改进，在深度饱和/高压缩脉冲和连续波条件下运行时，均表现出极高的耐用性。这种全MMIC支持的平台，允许客户开发出适用于50GHz以下应用的紧凑型脉冲或CW饱和功率放大器。特别是在29GHz频段，NP12-0B技术可产生高达4.5 W/mm的饱和输出功率，线性增益达到12 dB，功率附加效率超过40%，展现了其卓越的性能和稳定性。

NP12-0B技术的另一大亮点是其增强型防潮性选项。

目前，NP12-0B平台的鉴定测试已经完成，最终建模/PDK生成预计将于2024年8月完成。