三星电子近日宣布，其第二代3纳米环绕式闸极（GAA）技术预计将于2024年底实现量产，标志着公司在半导体技术领域的又一重大突破。

自2022年成功量产第一代GAA技术后，三星再次领跑全球半导体行业。据悉，第二代GAA技术将显著降低芯片耗电量，提高大规模量产效率，有望搭载于三星自家旗舰手机Galaxy S25系列中。

此外，全球知名芯片制造商AMD也计划采用三星的3纳米GAA技术，进一步证明了三星在半导体领域的领先地位。

除了GAA技术，三星在嵌入式MRAM（eMRAM）市场也取得了显著进展。公司已完成14纳米eMRAM的研发，并计划在未来几年内推动更先进制程的商用化。eMRAM具有断电后数据保存、高速写入和低耗电量等优势，预计将在汽车产业等领域得到广泛应用。

三星在半导体技术领域的持续创新，不仅将推动公司业务的快速增长，也将为全球科技进步贡献重要力量。