2024年5月30日，剑桥的Cambridge GaN Devices（CGD）与中国台湾的工业技术研究院（ITRI）在北京达成合作，共同研发高性能GaN电源技术。这次合作旨在打造功率密度超过30 W/in³的140-240 W USB-PD适配器，以应对电动汽车、电动工具、笔记本电脑和手机等市场的迅猛增长。

CGD的Andrea Bricconi表示，与ITRI的合作将展示双方技术融合的高效、紧凑电路板，为市场带来创新。ITRI的Wen-Tien Tsai则对CGD的ICeGaN™系列赞赏有加，认为它简化了电源设计，提高了温度控制和栅极可靠性。

据Yole集团分析，GaN市场预计将迎来爆发式增长，特别是在通信电源、汽车DC/DC转换器和车载充电器等领域。CGD与ITRI的联手，无疑将加速GaN技术在USB-PD适配器市场的应用进程。

CGD作为无晶圆厂环保科技半导体公司，专注于GaN晶体管和IC的研发。而ITRI则是全球知名的应用研究机构，其绿色能源与环境研究实验室（GEL）在能源效率和环保技术方面有着深厚的积累。此次合作，双方将共同推动电源技术的创新与环保发展，为市场带来更加高效、绿色的电源解决方案。