三星电子正积极应对人工智能（AI）领域对高容量存储器的需求，计划于2024年下半年推出全新的四阶储存单元（QLC）NAND Flash产品。这一战略布局不仅凸显了三星在AI技术飞速发展的背景下的前瞻视野，也进一步彰显了其作为全球半导体巨头的创新能力。
三星一直保持着在NAND Flash技术领域的领先地位，其于今年4月率先量产的1Tb TLC第九代3D NAND产品，在位元密度和功耗方面均取得了显著进步。而即将推出的QLC NAND新品，则将在成本效益和存储容量上实现新的突破。
QLC NAND的每个Cell单元能够储存4个数据，相较于TLC NAND具有更高的容量和更低的成本，非常适用于AI高容量服务器领域。三星的这一举措，旨在满足AI模型学习中对大容量、高稳定性存储器的需求，同时降低数据中心的运营成本。
尽管市场竞争激烈，但三星凭借其在NAND Flash领域的深厚积累和技术优势，有信心保持其在市场上的领先地位。随着QLC NAND新品的推出，三星将进一步巩固其在AI高容量服务器市场的地位，并推动整个存储行业的发展。
