存储双雄,推迟标准DRAM、NAND芯片增产
来源:ictimes 发布时间:2024-05-23
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据最新报道,截至5月20日,三星和SK海力士这两家公司在增加标准DRAM和NAND芯片产量上仍显得谨慎。
尽管市场普遍预期两家公司今年可能会提高产量以适应半导体市场的回暖,但三星和SK海力士在第一季度的财报电话会议上均透露,今年的DRAM产量增长将受到限制。这一决策反映了它们对当前市场形势的审慎态度。
标准DRAM和NAND市场仍面临着多重不确定性。即将到来的美国大选、潜在的经济政策和贸易法规变动,以及中东地区持续的地缘政治紧张局势,都是影响市场走向的重要因素。
今年4月,PC中使用的标准8Gb DDR4 DRAM的固定交易价格出现了约17%的上涨,但这被认为是短期内的价格波动,而非市场需求的真实复苏。与此同时,标准NAND的价格则保持稳定,未出现显著增长。
值得注意的是,三星和SK海力士正将注意力转向扩大HBM(高带宽内存)的产量。由于HBM对晶圆的要求更高,这在一定程度上减少了标准存储器的产量。在有限的产能下,增加HBM产量意味着标准存储器的产量将受到相应压缩。
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