5月6日上午，位于武汉市东湖高新区，九龙湖街以南、五峰路以西的武汉新城化合物半导体孵化加速及制造基地项目正式动工。该项目不仅是湖北省的重点工程，更是武汉新城重点推进的科技项目，且作为九峰山实验室的重要配套项目，其意义尤为重大。

九峰山实验室，作为湖北十大实验室之一，坐落于武汉江夏区，已建成先进的化合物半导体产业科研及中试平台。近年来，该实验室专注于下一代功率器件技术的研究，成功实现了自主可控的成套工艺技术。

在SiC领域，九峰山实验室于2023年8月1日全面启动6英寸SiC中试线，并成功下线首批沟槽型MOSFET器件晶圆，这标志着实验室已具备SiC外延、工艺流程、测试等全方位的技术服务能力。

随着首批沟槽型MOSFET器件晶圆的成功下线，九峰山实验室在SiC工艺技术方面持续突破。2023年12月，实验室在SiC超结领域取得显著进展，成功设计出具有完全自主知识产权的SiC多级沟槽超结器件新结构，显示了九峰山实验室在SiC技术领域的卓越实力。