在全球半导体产业竞争日趋激烈的背景下，三星电子（Samsung Electronics）再次展现出其前瞻性和决心。

据最新消息，三星决定提前投入研发与量产10纳米级第七代1d DRAM，以应对来自SK海力士（SK Hynix）、美光（Micron）等业者的快速追赶，重新扩大技术领先。

据韩媒首尔经济报道，三星近期已组建了一支由数百名芯片及制程工程师组成的研发团队，同步进行第七代1d DRAM的研发和量产准备工作。

这一决策标志着三星在DRAM技术领域的研发步伐已提前1~2年，旨在提前实现生产最佳化，确保在未来市场中保持领先地位。

值得注意的是，从1d产品开始，三星将正式在产线引进极紫外光（EUV）设备。由于制程难度的上升，三星决定提前开始研发，以确保技术的顺利过渡和量产的顺利进行。