随着数据处理需求的爆炸性增长，高带宽存储器（HBM）成为支撑高性能计算和人工智能运算的关键。HBM以其多层DRAM堆叠和高带宽I/O接口，为系统提供了前所未有的数据传输能力。

然而，随着技术的演进，HBM也面临着进一步扩展带宽和容量的挑战。目前，业界正在探索铜混合键合和矽光子两大技术方向。

铜混合键合技术通过直接连接晶圆上的重分布层，大幅缩短信号传输距离，降低功耗，同时实现更高的带宽。而矽光子技术则利用光子作为信息载体，以光速传输数据，不产生焦耳热，为实现更高带宽提供了可能。

未来，HBM的演进可能将结合这两种技术。一方面，通过铜混合键合技术实现更紧密的芯片间连接，另一方面，利用矽光子技术在封装内或芯片间传递信息，进一步提高数据传输效率和带宽。