国内薄膜铌酸锂光子芯片产业化取得重要进展
来源:ictimes 发布时间:2024-04-14 分享至微信
南智先进光电集成技术研究院(简称“南智光电”)在南京江北新区举行了铌酸锂光子芯片产线的启动仪式,标志着国内薄膜铌酸锂光子芯片产业化迈出了重要一步。
这条产线拥有先进的核心技术工艺,包括光刻、刻蚀、镀膜、研抛和湿法等工艺,配备了规模庞大的设备和超净间,月产能高达一千片晶圆。
南智光电是在祝世宁院士领导下,致力于铌酸锂材料领域的研究和突破的先驱。在南京大学和南京江北新区的支持下,南智光电团队在新区产业技术研创园建立了光电公共技术平台,专注于下一代光电芯片技术的研发工作。
未来,南智光电将以铌酸锂光子芯片产线为基础,为国内外光电企业提供芯片研发和流片支持,推动光电产业的发展。这一举措将有助于推动光电行业的创新和进步,为我国在光电领域的技术和产业发展贡献力量。
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