最新专利消息显示，长鑫存储技术有限公司最近成功取得了一项名为“测试模式复用器以及存储芯片”的专利。该项专利授权公告号为CN107705820B，授权公告日期为2024年3月26日，而申请日期为2017年11月08日。

这一创新提供了一种针对存储芯片的测试模式复用器，其关键组成部分包括测试模式开关和正常工作开关。通过这两个开关之间的路径切换，该复用器能够实现测试模式与正常工作模式之间的无缝切换。当测试模式开关打开时，内部电路接收测试信号进行测试；而当测试完成后，通过控制正常工作开关打开，内部电路则接收正常工作信号进行运行。这一设计保证了在正常运行时，内部电路受到良好的保护，避免因测试信号而造成的潜在损坏，同时也确保了正常运行路径的稳定性。

此外，该项专利还涉及到一种具备上述技术效果的存储芯片。这一创新不仅提升了存储芯片的测试效率和可靠性，同时也增强了其在正常工作状态下的稳定性和安全性。随着信息技术的快速发展，对存储芯片等电子元器件的性能要求越来越高，这项专利的成功授权必将对相关领域的技术进步产生积极的推动作用。

总的来说，长鑫存储技术有限公司的这项专利成果标志着该公司在存储芯片领域的技术实力和创新能力得到了肯定。这一创新不仅有望提升存储芯片的测试效率和可靠性，同时也有助于推动相关领域的技术进步，推动整个行业朝着更加稳健、可靠的方向发展。