三星将扩建中国西安的NAND芯片工厂
来源:电子产品世界 发布时间:2023-10-18
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三星电子计划将其西安NAND闪存工厂升级到236层NAND工艺,并开始大规模扩张。据外媒,三星电子计划将其西安NAND闪存工厂升级到236层NAND工艺,并开始大规模扩张。
本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/202310/451706.htm报道中称,三星已开始采购最新的半导体设备,新设备预计将在2023年底交付,并于2024年在西安工厂陆续引进可生产236层NAND的设备。
此前消息称,美国同意三星电子和SK海力士向其位于中国的工厂提供设备,无需其他许可。
据了解,目前三星西安工厂已成为世界上最大的NAND制造基地,约占了三星NAND总产量的40%。
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