Transphorm, Inc.（Nasdaq: TGAN）近日宣布，利用该公司的一项专利技术，在氮化镓功率晶体管上实现了长达5微秒的短路耐受时间（SCWT）。这是同类产品有记录以来首次达到的成就，也是整个行业的一个重要里程碑，证明 Transphorm 的氮化镓器件能够满足伺服电机、工业电机和汽车动力传动系统等传统上由硅IGBT或碳化硅(SiC)MOSFET提供支持的高可靠功率逆变器所需的抗短路能力 ---氮化镓在这类应用领域未来五年的潜在市场规模(TAM)超过 30 亿美元。
Transphorm与安川电机合作取得这项成果。
该项目的开发得到了安川电机公司的支持。安川电机是Transphorm的长期战略合作伙伴，同时也是中低电压驱动器、伺服系统、机器控制器和工业机器人领域的全球领导者之一。
与现有解决方案相比，氮化镓可以实现更高的效率和更小的尺寸，也让氮化镓成为伺服系统应用中极具吸引力的功率转换技术，为此，氮化镓必须通过该领域要求的严格的稳健性测试，其中最具挑战性的是需要承受住短路冲击，当发生短路故障时，器件必须在大电流和高电压并存的极端条件下正常运行。系统检测到故障并停止操作有时可长达几微秒时间，在此期间，器件必须能承受故障带来的冲击。
