英飞凌推出业界首款1Mbit车规级串行EXCELON F-RAM存储器。英飞凌
汽车事件数据纪录系统（EDR）市场的不断发展推动了专用数据纪录存放装置的需求，这些装置能够实时撷取关键数据并可靠地储存数据长达数十年。近期，英飞凌科技股份有限公司进一步扩展其EXCELON F-RAM存储器产品，推出两款分别具有1Mbit和4Mbit储存容量的新型F-RAM存储器。全新1Mbit EXCELON F-RAM是业界首款车规级串行F-RAM存储器。
这两款新品已通过AEC-Q100 1级认证，支持更宽广的温度范围（-40°C 至+125°C ），增添了储存容量从4Kbit到16Mbit的车规级F-RAM存储器产品组合。它们均具有快速且高度可靠的读／写效能，在SPI模式和Quad SPI（QSPI）模式下的读写效能分别高达50 MHz和108 MHz。此外，这些存储器具有10万亿次读写周期，能够支持以10微秒间隔进行数据纪录长达20年。
英飞凌RAM解决方案副总裁Ramesh Chettuvetty表示：「随着电子系统的广泛应用，以及产业法规鼓励在安全气囊系统及引擎控制和电池管理系统中使用高可靠非挥发性存储器，汽车系统中的数据纪录需求正在迅速成长。需要纪录数据的应用数量不断增加，根据特定用例定制储存密度的需求也随之成长。英飞凌致力于协助客户灵活满足各类系统设计对存储器架构的要求。」
EXCELON F-RAM存储器具有零延迟写入功能，可以持续撷取并纪录数据，直到事故或其他用户定义的触发事件发生前的最后一瞬间。这两款新品采用串行（SPI／QSPI）界面，具备F-RAM存储器的超低功耗特性，工作电压范围为1.8 V至3.6 V，并采用标准的8引脚SOIC封装。英飞凌F-RAM存储器除了具有出色的耐用性外，还可在断电后保存数据超过100年。
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