英特尔晶圆代工业务在美国政府诉求「美国制造」战略目标支持下，终于有所进展，若英特尔所释出的先进制程与封装技术蓝图按既定时程登场，不仅2024年超越三星电子软（Samsung Electronics）目标将达阵，台积电延迟至2025年量产的美国新厂，也将面临美国政府订单分食压力。

半导体业者表示，英特尔数年来苦陷制程技延迟、市占流失危机，过去一年又面临半导体需求反转等困境，制造与产品设计二大事业腹背受敌，业绩表现也低迷，眼睁睁看着超微（AMD）、NVIDIA等对手群持续坐大。

近期英特尔终于展现反击强大决心，除启动组织重整与瘦身甩卖不赚钱的业务开始收效后，同时最受关注的制程技术推进与扩产大计，英特尔也清楚交代技术蓝图与面市时程，若开出支票全部兑现，半导体与PC、服务器产业将有重大变化。

英特尔近期再度揭露4年内发展5个先进制程节点（Intel 7、Intel 4、Intel 3、Intel 20A、Intel 18A）的计划进度。其中，Intel 4全面使用极紫外光（EUV）微影技术，2023年下半登场的PC处理器Meteor Lake和数据中心Granite Rapids率先采用。

英特尔也指出，18A制程节点先在内部逐步提升产能与解决制程问题，进而大幅降低外部代工客户的风险。

先进封装技术方面，台积电2.5D封装有InFO、CoWoS，3D有SoIC，近期罕见出现供不应求的就是台积电CoWoS，也促使台积电启动大扩产，并引来三星抢单传言。

英特尔方面，2.5D有EMIB，Sapphire Rapids服务器处理器为首款量产产品，下时代的EMIB则从55微米凸点间距降至45微米；3D则有Foveros，Meteor Lake处理器为Foveros实作的第二时代，具备36微米凸点间距，芯片块横跨多种制程节点，热设计功耗从5~125瓦。

相较台积电主要晶圆厂仍在台湾，美日建厂进行中，产能比重并不多，封装据点1~6厂全在台湾，地缘政治风险仍是各方认为危机所在。

英特尔则是持续扩大欧美晶圆厂产能，封装厂除美国外，在马来西亚与越南皆有工厂，尤其是马来西亚规模甚大，近期也决定在意大利建厂。

半导体业者表示，肩负美国制造重任的英特尔稳取美国支持，RAMP-C计划将使用Intel 18A技术开发和生产芯片，也就是2025年后将量产。

若英特尔所有制程技术画不再推迟且良率符合预期，2024年超越三星不是问题，最重要的是，可能会影响台积电延迟至2025年量产的美国新厂。

先前外界皆认为，台积电美厂甚难获利，必须仰赖美国政府军事航太所释出的订单，应该也取得美方长约承诺，才会决定建置2座4/3纳米制程新厂。

然而英特尔已明确宣布，以更先进的Intel 18A制程抢下美国政府等众多订单，未来势将牵动全球晶圆代工板块挪移。

责任编辑：朱原弘