国内17家IGBT相关上市公司介绍
来源:功率半导体生态圈 发布时间:2023-07-04 分享至微信

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源:艾邦半导体网


功率半导体分立器件为半导体行业的主要组成部分,更是发电、输电、变配电、用电、储电等领域的基础核心部件。功率半导体的下游应用领域十分广泛,且需求持续稳定增长。除了消费电子、通信、计算机、工业控制、汽车电子等传统领域,近年来,功率半导体器件在电动汽车/充电桩、新能源发电、智能电网、轨道交通、变频家电等诸多新兴应用领域中得到广泛的应用,随着“碳中和”战略的推进,功率半导体器件将迎来一个高速发展时期。

近年来,IGBT 技术经历了丰富的演变,涌现出不同的IGBT技术方案,如沟槽栅场阻断结构、微细槽栅结构、侧栅结构、鳍状基区结构等新技术,同时 IGBT 的制造工艺也在持续创新,深沟槽、精准掺杂、深度扩散、超薄片以及质子注入等制造技术也成为实现 IGBT 自主创新的关键。近几年,国内企业无论是在芯片设计方面还是在模块制造和封装方面均有突破,国产替代需求仍有较大空间。

图 比亚迪 V-215 IGBT模块

根据相关数据统计,全球IGBT市场规模从2012年的32亿美元增长至2021年的70.9亿美元,年均复合增长率为6.6%。我国IGBT产量及需求量均呈现连年增长的趋势,2021年,我国IGBT的需求量为13000万只,同比增长20.00%;生产量为2580万只,同比增长27.72%;产需差值为10620万只。我国IGBT行业存在巨大供需缺口,基于国家核心元器件国产化相关政策要求,“国产替代”将会是未来IGBT行业发展的主旋律之一。国内相关企业也在加快融资上市布局,推动IGBT应用和市场发展,芯能半导体、依思普林、芯聚能半导体、臻驱科技等已完成C轮融资,尚阳通、东海半导体等拟进行IPO,这些企业我们将在下一期为大家进行介绍。本期我们将重点介绍国内已上市的企业,共17家,一起来看看:

单位:亿元

公司名

股票代码

市值

(截止6.8)

2022年

营业收入

2022年

净利润

比亚迪(比亚迪半导体)

002594

7236.91

4240.61

166.22

中车时代电气

688187

521.84

180.34

25.56

斯达半导体

603290

362.32

27.05

8.18

东微半导体

688261

113.60

11.16

2.84

士兰微电子

600460

435.87

82.82

10.52

中芯集成

688469

393.90

46.06

-15.95

华虹半导体

1347.HK

349.3

167.86

30.09

台基股份

300046

40.15

3.52

0.20

华润微电子

688396

706.25

100.6

26.17

扬杰电子

300373

223.40

54.04

10.60

宏微科技

688711

89.31

9.26

0.79

新洁能

605111

134.01

18.11

4.35

赛晶科技

0580.HK

26.61

9.18

0.24

皇庭国际(意发功率半导体)

000056

36.50

6.63

-12.31

华微电子

600360

66.26

19.53

0.58

国电南瑞科技

600406

1792.79

468.29

64.46

固锝电子

002079

99.29

32.68

3.71


1.比亚迪半导体股份有限公司(比亚迪:002594)

官网:http://www.bydmicro.com/

比亚迪半导体股份有限公司成立于2004年10月,是国内领先的高效、智能、集成新型半导体企业,主要从事功率半导体、智能控制IC、智能传感器、光电半导体、制造及服务,覆盖了对光、电、磁等信号的感应、处理及控制,产品市场应用前景广阔。公司以车规级半导体为核心,产品已基本覆盖新能源汽车核心应用领域,同时也广泛应用于工业、家电、新能源、消费电子等应用领域。

2005年,比亚迪半导体开始组件IGBT研发团队,正式布局IGBT产业。2009年,比亚迪推出了自主研制的“IGBT 1.0”芯片,实现了国内IGBT技术从0到1的突破。2018年,比亚迪推出了“IGBT 4.0”芯片,不仅达到了国外同一阶段IGBT的主流性能水平,在部分性能指标上还实现了反超,树立了国内中高端车用IGBT新标杆,截止2020年底,以IGBT为主的车规级功率器件累计装车超过100万辆,单车行驶里程超过100万公里。2021年,比亚迪推出了“IGBT 5.0”产品。此前比亚迪半导体计划分拆上市,但于2022年11月15日撤回该上市申请。IGBT6.0芯片将于比亚迪西安研发中心发布,采用比亚迪自主研发的高密度沟槽栅技术,较同类产品在可靠性和产品进行上实现重大突破,达到国际领先行列。

比亚迪是目前国内唯一一家拥有IGBT完整产业链的企业(包含IGBT芯片设计和制造,模组设计和制造,大功率器件测试应用平台,电源及电控等环节),IGBT的中国市场份额位居第二,仅次于英飞凌。

比亚迪半导体超级混动DM4.0IGBT集成+驱动模块

产品类型:产品涵盖MOSFET、IGBT、IPM、SiC功率器件等;可实现IGBT芯片、封装、DBC、基板、模块、单管等完整产业链量产。

应用领域:产品覆盖750V、1200V电压平台,广泛应用于工控领域、变频家电领域、新能源汽车领域、光伏领域等。

2.株洲中车时代电气股份有限公司(688187)

官网:http://www.tec.crrczic.cc/

株洲中车时代电气股份有限公司是中国中车旗下股份制企业,其前身及母公司——中车株洲电力机车研究所有限公司创立于1959年。2006年12月20日在香港联合交易所有限公司成功上市(股份代码:3898)。2021年9月7日,在上海证券交易所科创板成功上市(股份代码:688187)。中车时代电气形成了“基础器件+装置与系统+整机与工程”的完整产业链结构,产业涉及轨道交通、新能源发电、电力电子器件、汽车电驱、工业电气、海工装备等领域。

在功率半导体器件领域,时代电气建有6英寸双极器件、8英寸IGBT和6英寸碳化硅的产业化基地,拥有芯片、模块、组件及应用的全套自主技术,全系列高可靠性 IGBT 产品打破了轨道交通和特高压输电核心器件由国外企业垄断的局面。据NE时代统计,2022 年时代电气在乘用车功率模块装机量进入行业前四,市场占有率达 12.4%,完成全球首个大功率 IGBT 制氢电源研制以及实证测试。其中,时代电气IGBT模块交付在轨交、电网领域市场份额大幅领先,占有率国内第一,新能源市场也在快速突破,再技术上突破了第七代超精细沟槽 STMOS 技术。

中车第四代DMOS+芯片系列

中车第四代DMOS+芯片系列产品涵盖3300V至6500V电压范围,封装和电路结构灵活多变,适用于各种并联应用场景;中车第六代精细沟槽芯片系列产品涵盖电流100A至3600A,电压950V至1700V;中车第六代精细沟槽芯片系列产品涵盖400A至950A电流范围,最大可满足180kW电机需求;中车第六代注入效率控制FRD涵盖1200V至6500V电压范围。

3.嘉兴斯达半导体股份有限公司(603290

官网:http://www.powersemi.cc/

嘉兴斯达半导体股份有限公司成立于2005年4月,专业从事以IGBT为主的功率半导体芯片和模块的设计研发、生产及销售服务,是目前国内功率半导体器件领域的领军企业。2020年在上海交易所主板上市,股票简称:斯达半导,代码:603290,在上海及欧洲均设有子公司及研发中心。公司主要产品为功率半导体元器件,包括IGBT、MOSFET、IPM、FRD、SiC等等。公司成功研发出了全系列IGBT芯片、FRD芯片和IGBT模块,实现了进口替代。
3300VIGBT模块

2022年,公司生产的应用于主电机控制器的车规级 IGBT 模块持续放量,也在海外市场取得进一步放量,合计配套超过 120万辆新能源汽车,其中 A 级及以上车型超过 60万辆;与光伏储能行业中全球知名企业合作,并成为多家全球 Top10光伏储能企业的战略合作伙伴;持续丰富IPM产品线,产品在国内白色家电、工业变频器、伺服控制器等行业继续开拓。

产品类型:功率半导体元器件,包括IGBT、MOSFET、IPM、FRD、SiC等,涵盖了 IGBT 芯片、快恢复二极管芯片和 IGBT 模块的设计、工艺开发、产品测试、产品应用等。

应用领域:应用于新能源汽车、变频器、逆变焊机、UPS、光伏/风力发电、SVG、白色家电等。电压等级涵盖100V~3300V,电流等级涵盖10A~3600A。

4.苏州东微半导体股份有限公司(688261

官网:https://www.orientalsemi.com/

东微半导体成立于2008年,是一家技术驱动型的半导体技术公司,在作为半导体核心技术的器件领域有深厚的技术积累,专注半导体器件技术创新,拥有多项半导体器件核心专利。2016年东微半导体自主研发的新能源汽车直流大功率充电桩用核心芯片成功量产,打破国外厂商垄断。2022年2月10日,东微半导体登陆上海证券交易所科创版上市,证券代码:688261。在 IGBT领域,公司的TGBT产品是基于新型的Trident Gate Bipolar Transistor(简称 Tri-gate IGBT)器件结构的重大原始创新,基于此基础器件专利,具备了赶超目前国际最为先进的第七代 IGBT 芯片的技术实力。

产品类型:GreenMOS系列高压超级结MOSFET、SFGMOS系列及FSMOS系列中低压屏蔽栅MOSFET、TGBT系列IGBT产品以及SiC器件(含Si2C MOSFET)。IGBT产品采用具有独立知识产权的TGBT器件结构,工作电压范围覆盖600V-1350V,工作电流覆盖15A-200A。

应用领域:以新能源汽车直流充电桩、车载充电机、5G基站电源及通信电源、数据中心服务器电源、储能和光伏逆变器、UPS电源和工业照明电源为代表的工业级应用领域,以及以 PC 电源、适配器、TV电源板、手机快速充电器为代表的消费电子应用领域。

5.杭州士兰微电子股份有限公司(600460

官网:http://www.silan.com.cn/

杭州士兰微电子股份有限公司(600460)成立于1997年9月,是专业从事集成电路芯片设计以及半导体微电子相关产品生产的高新技术企业。目前,士兰微电子已成为国内规模最大的集成电路芯片设计与制造一体(IDM)的企业之一。公司的技术与产品涵盖了消费类产品的众多领域,在多个技术领域保持了国内领先的地位,如绿色电源芯片技术、MEMS传感器技术、LED照明和屏显技术、高压智能功率模块技术、第三代功率半导体器件技术、数字音视频技术等。

2022 年,士兰微基于自主研发的 V 代 IGBT 和 FRD 芯片的电动汽车主电机驱动模块,已在国内多家客户通过测试,并已在部分客户批量供货。截至目前,已具备月产10万只汽车级功率模块的生产能力,公司正在加快汽车级功率模块(PIM)产能的建设。在光伏领域,士兰微电子推出了型号为SGTP75V65SDS1P7的650V IGBT,可以高效配合50kW以下户用光伏产品,最大耐压在650V以上,额定电流高达75A,对目前主流的户用光伏并网逆变器拓扑都有很好的适配性。未来士兰微将继续加快先进的硅功率半导体器件(IGBT、快恢复二极管、超结 MOSFET、高密度低压沟槽栅 MOSFET 等)转12吋产线量产的进度。
SGTP75V65SDS1P7,650VIGBT

产品类型:集成电路芯片设计以及半导体微电子相关产品生产, V 代 IGBT 和 FRD 芯片的电动汽车主电机驱动模块。

应用领域:前新能源汽车、光伏、风电、储能、大型白电等应用市场。

6.绍兴中芯集成电路制造股份有限公司(688469

官网:https://cn.smecs.com/

绍兴中芯集成电路制造股份有限公司(证券代码:688469.SH)成立于2018年3月, 注册资本50.76亿元人民币,总部位于浙江绍兴,是一家专注于功率、传感和传输应用领域,提供模拟芯片及模块封装的代工服务的制造商,包括了大功率IGBT模块、MOSFET IPM模块和其他系统级集成封装。公司以晶圆代工为起点,向下延伸到模组封装,为国内外客户提供一站式代工解决方案,为功率、传感和传输等领域的半导体产品公司提供完整生产制造平台,支持客户研发以及大规模量产。2023年5月成功登录上交所科创板,股票简称:中芯集成,证券代码:688469。

在 IGBT 方面,公司具备深沟槽刻蚀、超薄减薄工艺、高能注入、平坦化工艺、激光退火、双面对准、质子注入、局部载流子寿命控制、嵌入式传感器、多元化金属层、高性能介质层、高低温CP测试等高端工艺技术,制造的 IGBT 产品在可靠性、开关效率、产品一致性等性能上表现优异。

产品类型:沟槽型场截止 IGBT、车载IGBT、高压 IGBT 等,600V~1200V等器件工艺均已实现大规模量产,同时提供快恢复二极管的代工服务。

应用领域:智能电网、新能源汽车、充电桩、风力发电、光伏储能、家电、变频器、UPS、焊机、感应加热等领域。

7.华虹半导体有限公司(1347.HK,科创板IPO)

官网:https://www.huahong.com.cn/

华虹集团是全球领先的特色工艺晶圆代工企业,也是行业内特色工艺平台覆盖最全面的晶圆代工企业。公司立足于先进“特色 IC+功率器件”的战略目标,以拓展特色工艺技术为基础,提供包括嵌入式/独立式非易失性存储器、功率器件、模拟与电源管理、逻辑与射频等多元化特色工艺平台的晶圆代工及配套服务。

华虹是全球产能排名第一的功率器件晶圆代工企业,也是唯一一家同时具备 8 英寸以及 12 英寸功率器件代工能力的企业。2020年年底华虹半导体在12 英寸生产线上成功建立了IGBT 晶圆生产工艺,并且顺利通过客户认证。2021年,与斯达半导体举办“华虹半导体车规级IGBT 暨12 英寸IGBT 规模量产仪式”,华虹打造的高功率车规级IGBT(绝缘栅双极型晶体管)芯片,已通过终端车企产品验证。2023年5月17日,虹半导体科创板顺利通过上交所科创板上市委审议,IPO更进一程。

华虹目前有三座 8 英寸晶圆厂和一座 12 英寸晶圆厂。截至 2022 年末,上述生产基地的产能合计达到 32.4 万片/月(约当 8 英寸),总产能位居中国大陆第二位。

产品类型:提供 200V-900V 电压范围支持的深沟槽式超级结 MOSFET 技术平台以及600-1,700V 电压范围的 IGBT(绝缘栅双极型晶体管)技术平台。1200V非穿通型和轻穿通型IGBT;600V ~ 1200V场截止型IGBT;1700V ~ 6500V 场截止型IGBT (开发中)。

应用领域:新能源汽车、工业、通讯、消费电子等。

8.湖北台基半导体股份有限公司(300046

官网:http://www.tech-sem.com/

湖北台基半导体成立于2004年,2010年上市,主营功率半导体器件的研发、制造、销售及服务,主要产品为大功率晶闸管、整流管、IGBT、电力半导体模块、脉冲功率开关等功率半导体器件,广泛应用于电气控制系统和工业电源设备,包括冶金铸造、电机驱动、电机节能、大功率电源、网络能源、智能电网、轨道交通、新能源等行业和领域。公司采用垂直整合(IDM)一体化的经营模式,具备自主技术的芯片设计、制程、封装、测试完整产业链及研发中心;产品销售采取直营销售和区域经销相结合的模式,营销渠道通畅,市场地位稳固。车规级lGBT模块是台基股份研究和发展的方向和规划之一,目前主要研发模块封装和新材料技术。

产品类型:大功率晶闸管、整流管、IGBT、电力半导体模块、固态脉冲功率开关等功率半导体器件。

应用领域:大功率晶闸管(KK系列、KP系列、KS系列等,直径范围:0.5-5英寸,电流范围200A-4000A,电压范围400V-7200V);大功率半导体模块(MTC系列、MFC系列、MDS系列、MTG系列等,电流范围:26A-1500A,电压范围:400V-4500V)。

9.华润微电子有限公司(688396

官网:https://www.crmicro.com/

华润微电子有限公司是华润集团旗下负责微电子业务投资、发展和经营管理的高科技企业,曾先后整合华科电子、中国华晶、上华科技、中航微电子等中国半导体企业,产品聚焦于功率半导体、智能传感器领域,拥有芯片设计、晶圆制造、封装测试等全产业链一体化运营能力,在分立器件及集成电路领域均已具备较强的产品技术与制造工艺能力。

2022年,华润微电子IGBT产品线营收 5.24 亿元,同比增长145%。在头部车企以及多家 Tier1 企业实现大批量供货;在光伏、储能、充电桩、UPS 等优质工控市场获得头部客户验证并实现量产。IGBT模块2022年实现量产,公司推出多款变频器模块并实现量产,同时,推出 650V/450A光伏模块,在多家光伏客户送样验证。

产品类型:主要产品包括以 MOSFET、IGBT、第三代宽禁带半导体为代表的功率半导体产品,以光电传感器、烟报传感器、MEMS 传感器为主的传感器产品,和以MCU为代表的智能控制产品等。

应用领域:汽车电子,光伏、储能、充电桩、UPS 等优质工控市场,消费电子。

10.扬州扬杰电子科技股份有限公司(300373

官网:https://www.21yangjie.com/

扬州扬杰电子科技股份有限公司成立于2000年,是国内少数集半导体分立器件芯片设计制造、器件封装测试、终端销售与服务等产业链垂直一体化(IDM)的杰出厂商。产品线含盖分立器件芯片、MOSFET、IGBT功率模块、SiC、整流器件、保护器件、小信号等,为客户提供一揽子产品解决方案。产品广泛应用于汽车电子、新能源、工控、电源、家电、照明、安防、网通、消费电子等多个领域。公司于2014年1月23日在深交所上市,证券代码300373。
IGBT模块MG100HF12LEC1

2022年至2023年3月份完成另外对湖南楚微70%股权收购,在晶圆制造上形成了 5 寸、6 寸、8 寸完备的晶圆产品制造能力。完成了基于Fabless模式的8寸平台Trench 1200V IGBT芯片 10A-200A 全系列的开发工作,对应的 IGBT 系列模块也同步投放市场。在清洁能源市场,利用Trench Field Stop型IGBT技术,推出1200V系列、650V系列TO220、TO247、TO247PLUS 封装产品。2022年全年共完成多个系列车规级晶圆设计产品,完成车规级沟槽MOSFET和屏蔽栅沟槽 MOSFET 多个不同电压平台的开发,完成了CLIP、TOLL等封装形式的开发。超级结产品也顺利通过可靠性考核,满足量产条件。

产品类型:主营产品主要分为三大板块,具体包括材料板块(单晶硅棒、硅片、外延片)、晶圆板块(5 寸、6 寸、8 寸等各类电力电子器件芯片)及封装器件板块(MOSFET、IGBT、SiC 系列产品、整流器件、保护器件、小信号及其他产品系列等)。

应用领域:工控、光伏逆变、新能源汽车、清洁能源等。

11.江苏宏微科技股份有限公司(688711

官网:http://www.macmicst.com/

江苏宏微科技股份有限公司是由一批长期在国内外从事电力电子产品研发和生产,具有多种专项技术的科技人员组建的国家重点高新技术企业。是国家高技术产业化示范工程基地,国家IGBT和FRED标准起草单位;江苏省博士后创新基地,江苏省新型高频电力半导体器件工程技术研究中心等。自设立以来一直从事 IGBT、FRED 为主的功率半导体芯片、单管和模块的设计、研发、生产和销售,并为客户提供功率半导体器件的解决方案。产品已涵盖 IGBT、FRED、MOSFET 芯片及单管产品 80余种,IGBT、FRED、MOSFET、整流二极管及晶闸管等模块产品 300余种。
图RC(逆导)IGBT分立器件

2022年宏微取得多项研发成果:SiC 二极管研发成功并实现小批量供货;第六代 IGBT 芯片,实现了多个电流电压规格的拓展;第七代 IGBT 芯片,实现了25A小批量交付、完成了150A、200A的拓展;第七代FRED芯片,成功开发了一款 75A 规格,小批量应用于光伏领域;成功开发了一款低温度变化率、低恢复损耗的100A 1000V FWD芯片,小批量应用于光伏领域;成功开发了一款三相六单元750V 400A IGBT模块,批量应用于电动汽车领域;成功开发了一款HPD封装820A 750V三相半桥灌封IGBT模块,批量应用于电动汽车领域;成功开发了一款双BOOST 1200V 50A IGBT模块,批量应用于光伏领域;成功开发了一款T型三电平1200V 80A IGBT模块,通过工控领域客户单体测试认证。

产品类型:IGBT、FRED为主的功率半导体芯片、单管和模块

应用领域:工业控制(变频器、伺服电机、UPS 电源等),新能源发电(光伏逆变器)、电动汽车(电控系统和充电桩)等。

12.无锡新洁能股份有限公司(605111)

官网:http://www.ncepower.com/

无锡新洁能股份有限公司成立于2013年1月,2020年上市,是国内较早同时拥有沟槽型功率MOSFET、超结功率MOSFET、屏蔽栅功率MOSFET及IGBT四大产品平台的本土企业之一,产品电压已经覆盖了12V~1700V的全系列产品、达1700余种,为国内MOSFET等功率器件市场占有率排名前列的本土企业。

公司依托技术、品牌、渠道等综合优势,结合大尺寸晶圆芯片(8英寸、12英寸)先进工艺技术,开拓国际先进功率器件封装制造技术,全力推进高端功率MOSFET、IGBT、集成功率器件的研发与产业化,并投入对SiC/GaN宽禁带半导体、智能功率器件的研发及产业化。

2022年新洁能IGBT研发创新:使用第七代微沟槽场截止技术的 650V IGBT 已经逐步量产,产品电流密度提升至 550A/cm2,较上一代产品提升 27%,栅极电荷下降 50%以上;使用第七代微沟槽场截止技术的 1200V IGBT 产品已突破主要技术难关,采用创新的载流子存储设计理论和制备工艺,饱和压降降低 10%以上;使用第七代微沟槽场截止技术的 650V 逆导型 IGBT(RC-IGBT)产品样品已完成器件可靠性考核并通过客户应用测试;面向于光伏逆变应用的业界电流最大的 1200V TO-247plus 封装单管产品 1200V 150A IGBT 已经完成设计与工艺固化,该产品推出后将全面适用于中功率光伏逆变装置并替换部分 IGBT 模块产品;光伏模块用 650V 和 1200V 大电流 IGBT 芯片,采用了最新第七代微沟槽场截止技术、载流子存储技术、多梯度背面缓冲层技术,正在进行工程流片,预计 2023 年 Q2 完成开发和样品送样,包括 1200V/800A、650V /450A、1200V/600A 等模块产品;独创设计的具有正温度系数的高性能快恢复二极管(FRD)芯片已经完成工程开发,产品电学参数和温度特性显著优于市场同规格普通快恢复二极管,该产品匹配搭载公司第七代 IGBT 大电流芯片,单管产品与模块产品将聚焦适用于光伏储能、充电桩、OBC 和新能源汽车等领域。

产品类型:沟槽型功率MOSFET、超结功率MOSFET、屏蔽栅功率MOSFET及IGBT四大产品。

应用领域:消费电子、汽车电子、工业电子、新能源汽车及充电桩、智能装备制造、轨道交通、光伏新能源、5G等领域


13.赛晶科技集团有限公司(0580.HK)


官网:http://www.sunking-tech.com/

赛晶科技集团有限公司是业内技术领先并深具影响力的电力电子器件供应商和系统集成商。2010年10月在香港主板上市,股票代码0580.HK。专注于两大业务领域:阳极饱和电抗器、电力电容器、层叠母排等功率半导体及配套器件技术,以及固态开关、阻抗测量、在线监测等前沿性电力电子技术。面对国内功率半导体领域的“缺芯”困局,赛晶科技于2019年启动了IGBT自主技术研发,打造国际一流水平的国产IGBT芯片及模块,主要面向电动汽车、新能源发电、工业电控等领域。首款IGBT产品- 1200V/250A芯片和1200V/750A模块已经实现了量产。此外,赛晶自主设计建成全自动智能IGBT模块生产线。


2022年,赛晶科技自主研发的i20系列1200V IGBT芯片、d20二极管芯片及ED封装IGBT模块成功通过多家客户测试验证,并获得批量订单。2023年1月,赛晶正式推出i20系列1700V IGBT芯片、d20二极管芯片及ST封装IGBT模块。此外,本集团两款车规级碳化硅模块:HEEV封装及EVD封装碳化硅模块的研发进展顺利。

产品类型:IGBT、FRD以及碳化硅等芯片和模块等产品。

应用领域:光伏、风电、储能、电动汽车、冶金、工控等。

14.德兴市意发功率半导体有限公司(皇庭国际:000056)


官网:http://www.ever-power.cn/

德兴市意发功率半导体有限公司是一个设计、研发、生产、销售和服务的IDM企业,在江苏张家港、德兴及上海设立研发和设计基地,在德兴建立自己的规模芯片生产线,公司拥有多种质量过硬的产品和全面的产品类型,并掌握先进的功率器件技术和生产工艺,德兴产线达产后,公司将拥有年产超过40万片6寸功率晶圆芯片的能力。

意发功率半导体主要业务及产品

2022年,皇庭国际(000056.SZ)将德兴市意发功率半导体有限公司纳入合并报表范围,意发功率主要从事功率半导体芯片的设计、制造及销售拥有年产24万片6寸功率晶圆的能力,以FRD和SBD产品为切入点,以电流15-100A,电压450V,600V,1200V产品为主,开发和生产世界先进水平的低能耗功率开关器件。意发功率核心产品为FRD、SBD、MOSFET、IGBT等功率半导体,产品广泛应用于工控、通信、变频家电、光伏/风力发电、充电桩和电动汽车等领域。皇庭国际将依托意发功率的技术、人才等资源,努力打造涵盖功率半导体器件设计、晶圆制造、先进封装为一体的IDM公司;在现有产品硅基 FRD、SBD、IGBT、MOSFET 基础上,进一步发展第三代半导体材料 GaN、SiC 功率器件。

产品类型:多款IGBT及配套的FRD产品

应用领域:以FRD和SBD 产品为切入点,以电流15-100A,电压450V,600V,1200V产品为主;主要应用于电磁炉、变频器、电焊机和充电桩等领域,替代海外进口产品, 主要规格有 15A/20A/ 30A/40A/75A等。

15.吉林华微电子股份有限公司(600360)


官网:https://www.hwdz.com.cn/

吉林华微电子股份有限公司是集功率半导体器件设计研发、芯片加工、封装测试及产品营销为一体的国家级高新技术企业,主要生产功率半导体器件及IC,目前公司已形成IGBT、MOSFET、SCR、SBD、IPM、FRD、BJT等为营销主线的系列产品,产品种类基本覆盖功率半导体器件全部范围,广泛应用于汽车电子、电力电子、光伏逆变、工业控制与LED照明等领域,并不断在新能源汽车、光伏、变频等战略性新兴领域快速拓展。

20N120C

华微电子拥有4英寸、5英寸、6英寸、8英寸等多条功率半导体分立器件及IC芯片生产线,芯片加工能力为每年400万片,封装资源为每年24亿只,模块每年2400万块。2022年完成了新一代 Trench FS IGBT工艺平台建设,电流密度达到国际先进水平,应用于白色家电、储能及新能源汽车领域;完成了第二代 600V-700V 超结 MOS 平台建设及产品系列化;丰富 IPM 和 PM 模块系列。Trench SBD 产品在光伏领域发力;FRD产品在充电桩领域以及空调领域成功实现国产替代;完成 TVS 及齐纳二极管等系列产品平台建设。

产品类型:以 IGBT、MOSFET、SCR、SBD、 IPM、FRD、BJT、多芯片模块、宽禁带半导体等为营销主线的系列产品,覆盖了功率半导体器件的全部范围。

应用领域:新能源汽车、光伏、变频、工业控制、消费类电子等。

16.国电南瑞科技股份有限公司(600406

官网:http://www.naritech.cn/

国电南瑞科技股份有限公司成立于2001年,2003年10月上市,股票简称“国电南瑞”,证券代码“600406”。国电南瑞是以能源电力智能化为核心的能源互联网整体解决方案提供商,是我国能源电力及工业控制领域卓越的 IT 企业和电力智能化领军企业。拥有电网自动化及工业控制、继电保护及柔性输电、电力自动化信息通信、发电及水利环保四大业务板块,下设 1 个研究院、4 个事业部,15 家分公司、26 家子公司。

国电南瑞在网外及新兴产业方面,加强水电及新能源、智慧轨交等领域核心产品研发和整体方案策划,聚焦 IGBT、储能、智能设备、传感器、工业互联网、智慧消防、配网带电作业机器人等新兴领域,其中1200V、1700V及3300V IGBT产品成功示范应用,已建成公司首条全自动IGBT封装测试生产线,自主研制的4500V IGBT压接式器件完成全部试验验证并通过验收,在建4500V压接式IGBT模块小试生产线建设项目。

产品类型:4500V、3300V、1700V及1200V系列自主IGBT产品

应用领域:水电及新能源、智慧轨交等领域

17.苏州固锝电子股份有限公司(002079)


官网:http://www.goodark.com/

苏州固锝于1990年成立,2006年在深交所上市(股票代码002079),从晶圆到封测有完整的供应链体系。苏州固锝是国内半导体分立器件二极管行业完善、齐全的设计、制造、封装、销售的厂商,主要产品包括最新封装技术的无引脚集成电路产品和分立器件产品、汽车整流二极管、功率模块、整流二极管芯片、硅整流二极管、开关二极管、稳压二极管、微型桥堆、军用熔断丝、光伏旁路模块等共有50多个系列、1500多个品种。产品广泛应用在航空航天、汽车、绿色照明、IT、家用电器以及大型设备的电源装置等许多领域。

2022年,受益于智能汽车、光伏等细分下游的需求成长,苏州固锝在IGBT、汽车等细分赛道保持了高增长的状态。6寸晶圆产品研发发试验线已建成,相关产品将用于各种高压大功率的二极管、MOS、MEMS、IGBT产品等,终端产品应用场景包括各种通讯、工业控制、新能源汽车行业。

产品类型:专注于市场份额较大的功率二极管生产研发,在 DFN、QFN、SMD 等封装基础上兼顾 MOSFET 与 IGBT 封装。

应用领域:工业(电源、储能、光伏逆变电源)和汽车(三电系统、智能驾驶、电子电气)。

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