10纳米级1b DRAM研发完成 SK海力士对决三星
来源:DIGITIMES 发布时间:2023-06-01 分享至微信

SK海力士(SK Hynix)近期完成10纳米级(1b)DRAM研发,相关产品已进入英特尔(Intel)的认证程序,计划持续扩大应用领域,改善业绩。

综合韩媒Ddaily、韩联社报导,SK海力士日前宣布已完成10纳米级(1b)DRAM研发,并向英特尔供应使用该技术的服务器的DDR5产品,进入数据中心的存储器认证流程,若通过则代表与英特尔服务器平台「Xeon Scalable」的兼容性获得认证。

本次向英特尔供应的DDR5产品,处理速度为6.4Gbps,与DDR5初期样品4.8Gbps相比,提高了33%。同时,采用高介电常数金属闸极(High-k Metal Gate;HKMG)制程,与10纳米级(1a)DDR5相比,耗电量降低20%,处理速度约快达14%。HKMG是将高介电常数(k)的物质,用于DRAM晶体管内部绝缘膜的技术,可防止漏电并改善电容量,同时加快速度。

SK海力士副社长、DRAM研发负责人金钟焕(音译)表示,预期存储器市况将自2023年下半获得改善,SK海力士将以量产1b等业界最高水准的DRAM竞争力为基础,加速改善2023年下半业绩,并于2024年上半将最先进1b制程扩大到LPDDR5T、高带宽存储器HBM3E等领域。据悉,SK海力士计划于2023年下半公开具备8Gbps数据传输效能的HBM3E样品,并于2024年正式量产。

SK海力士透过与英特尔的紧密合作,2023年1月率先获得10纳米级第四代(1a)DDR5服务器DRAM的认证,可配合英特尔CPU扩大供应量,在DDR5 DRAM初期市场抢占先机,并计划在1b DRAM延续优势。

不过,三星电子(Samsung Electronics)此前也于2023年5月18日,宣布开始量产第五代10纳米级DDR5 DRAM,预期未来双方将在新一代DRAM领域展开更激烈的竞争。三星表示,第五代10纳米级DDR5 DRAM与上一代产品相比,生产效率约改善20%,功耗改善约23%,支持最高7.2Gbps的传输速度,该产品于2022年完成超微(AMD)平台的兼容性评估。

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