新品发布 | 蓉矽半导体1200V 12mΩ NovuSiC® MOSFET量产-icspec

新品发布 | 蓉矽半导体1200V 12mΩ NovuSiC® MOSFET量产

来源:宽禁带半导体技术创新联盟发布时间:2023-04-27

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导通电阻低至12mΩ的SiC MOSFET

自1200V 75mΩ/40mΩ NovuSiC MOSFET量产后，蓉矽半导体再接再厉，1200V 12mΩ SiC MOSFET这一国内最低导通电阻产品开始量产，首批次量产平均良率高达80%，满足车规主驱芯片的高可靠性要求，为高质量国产替代提供了坚实保障。

自成立之初，蓉矽半导体就一直坚守正向研发路径，每款产品都来自实际市场应用需求。在应用端客户关心的驱动电压上，同时推出了15V驱动与20V驱动两种SiC MOSFET产品，从产品设计端开始就着力解决客户所需。

在封装型号上，蓉矽半导体推出了TO-247-4L、TO-247-3L以及TO-263-7L等多种封装形式。全系列产品均采用环保物料，完成了RoHS、REACH认证，获取了SGS报告，全面满足光伏、风电、汽车电子、工业电源和储能等领域的应用需求。

作为一家专注碳化硅功率半导体器件设计的公司，蓉矽半导体经过三年的努力，完成了从材料、晶圆到封测的全工艺链整合。自今年起，蓉矽半导体全SiC系列产品实现了稳定的保质保供，为客户方案导入、批量生产提供了强有力的支持。

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