英诺赛科发布两款40V VGaN新品,均采用WLCSP封装
来源:化合物半导体市场 发布时间:2023-03-23
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在消费类电子领域,氮化镓于手机、笔电快充中的应用已大量普及,大大满足了消费者对移动设备快速续航的需求。而在手机内部,电源开关依然采用传统的硅MOSFET,其体积与阻抗的限制,不仅占据了手机主板的大量空间,且在面对大功率快充时,硅MOSFET会产生较大的温升与效率损耗,影响快充的稳定性与大功率充电持续时间。
氮化镓作为第三代半导体材料,具备高频高效、低导阻等优越特性,应用于手机主板也具备极大优势。

Source:英诺赛科
2022年,英诺赛科开创了氮化镓 40V 器件平台,并率先将双向导通 VGaN INN040W048A(40V/4.8mΩ)产品成功导入Oppo、Realme 手机主板内部,实现体积减少64%,峰值功率发热降低85%等优越性能表现,获得了良好的市场反馈。基于40V 平台的迭代与升级,近期,英诺赛科 VGaN 家族迎来了两名新成员:INN040W080A、INN040W120A。
产品特性:
支持双向导通,无反向恢复
40V/8mΩ 超低导通电阻
1.7mmx1.7mm WLCSP封装
,寄生参数小
应用领域:
高侧负载开关
智能手机USB端口中的OVP保护
多电源系统中的开关电路

产品特性:
支持双向导通,无反向恢复
40V/12mΩ 超低导通电阻
1.7mmx1.7mm WLCSP封装,寄生参数小
应用领域:
高侧负载开关
智能手机USB端口中的OVP保护
多电源系统中的开关电路
仅使用1颗VGaN 就能替代传统共漏连接的背靠背NMOS,实现更低导通损耗的手机电池充、放电功能,并节省手机内部宝贵的空间; 降低手机在充电过程中的温升,在快速充电时可以保持比较舒适的机身温度,延长电池使用时间,为用户提供良好的充电体验;
使氮化镓在更高功率的快充场景中具备竞争力,实现手机内部GaN芯片“零” 的突破。
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