1、意外落户北海道，Rapidus欲做日本芯片“面壁者”？
2、国产NOR Flash为何动作频频？车用存储乃众心所向
3、芯和半导体“射频系统仿真解决方案”全面进入云平台时代
4、知情人士：苹果供应商正崴印度工厂火灾或引起供应链中断
5、东京电子CEO：芯片需求将从明年起暴增 重返“指数增长”
6、韩国半导体制造商对美国新政感到担忧
1、意外落户北海道，Rapidus欲做日本芯片“面壁者”？集微网消息，2月28日，Rapidus社长小池淳义飞赴北海道，拜访当地官员并发表讲话，正式确认其2纳米先进制程晶圆厂将落户北海道千岁市。悬念揭晓，顿时引发外界一片惊诧。Rapidus晶圆厂固然没有选址九州和台积电打擂台，但此前外界猜测的热门候选地如中部、东北全数落空，产业界视线之外的北海道反而脱颖而出，的确令人意外。Rapidus远走北海道，颇有一种重起炉灶“面壁十年图破壁”的气概，但这家堪称日本半导体产业“最后希望”的企业如此特立独行之举，会否也就此埋下“难酬蹈海亦英雄”的隐忧？Rapidus方面人士对外表态中，将充足的水电供应、便利的海空交通、稳定的地质条件作为选址千岁市的三大理由，但细加辨析，不难发现其中略显牵强之处，如该地虽然有新千岁机场联通国内外主要城市，但受北海道气候影响，冬季常有因暴雪天气临时关闭的情况。更令人疑惑的是，北海道产业基础也远不如日本内地，该地区招商引资情况在该国国内各都道中也时常“敬陪末座”，Rapidus工厂可能的所在地—千岁市工业园区，目前仅有电装、SUMCO、三美电机等产业链上下游企业零星布局，也正因如此，此前外界推敲Rapidus可能的建厂地点时，北海道从未进入过候选名单。Rapidus的意外选择，在笔者看来可能有三方面更深层的动因。首先，Rapidus核心团队试图摆脱日本半导体产业旧习气的影响在近期对Rapidus会长东哲郎的访谈中，这位日本半导体产业“老炮”就曾意有所指地透露，在其寻找大公司投资时，有一些企业泼来冷水，认为2纳米制程未来不会有市场需求，而最终亮相的Rapidus八大股东方中，东芝、日立、富士通、三菱电机、瑞萨等知名微电子企业也耐人寻味地悉数缺席。值得一提的是，东哲郎据称圈定了一份“百人名单”，据此延揽人才组建Rapidus核心团队，其中多为五十岁以上的日本半导体“黄金时代”技术领军人才，而这些人才过去二十年职业生涯普遍堪称颠沛流离。特别是2010年日立、三菱电机和NEC半导体事业部合并组建瑞萨后，员工总数从5万被砍到2万，技术人员规模短时间内也被压缩三分之二以上，不少“下岗”专家其后被中韩企业重金礼聘出国，虽然生活无忧，但对传统日本半导体产业界可以说已经彻底灰心。因此，北海道虽然半导体产业基础薄弱，但对Rapidus核心团队来说，却有“海阔凭鱼跃、天高任鸟飞”的自由度，也一举摆脱了暮气沉沉的旧产业界氛围牵绊。根据Rapidus方面给出的规划，其2纳米先进制程晶圆厂达产前，至少需要投入5万亿日元资金，其中2万亿用于研发，3万亿用于晶圆量产线建设。而目前，Rapidus手中除了一笔700亿日元的开办费，尚无其他现金储备，对Rapidus而言，除了IPO、银行融资和经产省补贴，项目落户地当地政府提供的资金补助和土地、水电资源也必不可少。与北海道相比，其他几大候选地区如北陆、中部、东北乃至九州虽然产业配套更齐全，但一大劣势就是已经被成熟项目“薅”过一轮甚至两轮补贴，最典型的莫过于台积电在熊本县的连续追加投资，可以说已经“榨干”了都道府县地方政府的配套财力，甚至经产省的中央层面补贴也已经基本被瓜分完毕，这样的情况下Rapidus进驻，不但要不到多少额外好处，反而可能承担被炒高的土地、人工成本。最后，Rapidus落户，可能也有为北海道知事“站台”之意Rapidus的诞生，起源于东哲郎、小池淳义等人向自民党大佬甘利明提出的动议，而甘利明身为国会半导体战略推进议员联盟会长，是日本近年来一系列半导体领域重大战略动作背后的核心推手，对于Rapidus项目的一些关键决策，甘利明无疑具有非同寻常的影响力。有趣的是，北海道知事铃木直道被目为未来日本政坛的一颗新星，在竞选中也曾获甘利明亲自站台支持，以申办2030年冬奥会为标志，其人显然有为北海道引入一些“大项目”的追求，Rapidus项目落户，可被视作自民党大佬为其送上的一份礼物。Rapidus意外落户北海道，颇有“面壁十年图破壁”的卧薪尝胆气象，不过正如上文所分析的，北海道自身区位条件和产业基础不佳，也为Rapidus项目能否顺利实施带来了一定的隐忧。凭借东哲郎等核心团队成员在半导体行业的深厚人脉，Rapidus在EUV光刻机等关键设备采购上或许能顺风顺水，但在需求端，Rapidus未来能否找到适合其生存发展的市场生态位，尚有较大不确定性。如果将Rapidus类比于我国曾经的909工程，同样是引进成套技术意图实现产业跨越式进步，909工程在晶圆厂建设的同时，还几乎同步布局了设计中心等上下游配套产业，而Rapidus的有限资源能否确保试产线、量产线建设及成套工艺研发尚有悬念，更不足以支撑配套产业向北海道转移，很难想象能够出现如台积电熊本项目一般，上下游厂商“赢粮而景从”的盛况。一张白纸从零开始的Rapidus，未来将如何开辟商业化之路？从Rapidus会长东哲郎的公开言论看，该公司对客户价值的重视程度超过客户规模，意图“与经过严格挑选的客户进行深度交易，并从中获利”，这样的客户，除了目前已经入股Rapidus的八大日本本土汽车、IT等领域企业，还可能包括谷歌、亚马逊等几大美国科技巨头。东哲郎透露，他近期已经拜访过谷歌公司，向其介绍了Rapidus在先进制程领域的规划，强调即便其晶圆产能较小，但将通过最大限度地缩短开发、设计和交付的周期来为客户创造价值，谷歌方面据称颇感兴趣，东哲郎认为，在芯片试验流片环节双方可以开展先行合作。看起来，Rapidus正试图通过从研发环节切入，与为数不多的先进制程芯片客户建立合作纽带，并试图证明其相较台积电、三星，可以帮助客户实现更短的产品上市周期。假如这样的商业模式能够实际落地，自然将产生相当大的说服力，设备材料和设计公司也会有更大的动力向北海道布局。不过Rapidus的盘算，一定程度上显得有些“一厢情愿”，其立足点似乎是假设台积电等先进制程代工厂负荷满载，没有余裕支持如日本企业小批量“利基”产品流片。然而事实上，随着近期传出苹果砍单M2芯片，台积电、三星3纳米制程产能供需情况可能并不会如此前预期般紧张。至于缩短TTM，也很难想象Rapidus或其美国合作伙伴IBM提供的设计服务支持生态，能够在短期内媲美台积电OIP客户体验。值得注意的是，Rapidus落户北海道，在极端地缘事件场景下，却反而可能令其获得意想不到的发展空间。在经济上，北海道可以说是日本各大区中对华经贸往来最少的地区，而如果以台海为中心，北海道也是日本距其最远的区域，因此一旦东亚出现地缘态势骤然激化乃至影响主要物流通道的事件，北海道地区所受的冲击大概率将较为缓和。届时，如果台积电在美二期3纳米产线尚未建成，英特尔20A制程量产也因公司财政状况而延宕，则Rapidus将有可能成为全球唯一可稳定提供2纳米先进制程产品代工服务的企业，将坐享渔翁之利。由此观之，Rapidus落户北海道，或许也不能排除对冲极端地缘风险的考虑。东哲郎等老一代日本半导体产业人重新出山推动Rapidus成行，恰折射出日本半导体产业后力不继、日渐凋敝的残酷现实，以至于Rapidus被广泛视为日本半导体产业重新振作的“最后一次机会”。Rapidus项目最终意外落户北海道，或许是东哲郎等“昭和男儿”的一次决断，而其未来前景，却无法由自身努力所把握，历史的行程，终将给出Rapidus命运的答案。2、国产NOR Flash为何动作频频？车用存储乃众心所向集微网报道 国内存储厂商近期在NOR Flash上动作频频，航顺芯片、中天弘宇等相继发布了NOR Flash新品，聚辰股份、普冉股份则宣布产品通过车规认证，这个平常不太引人注目的赛道又再起热度。尽管在2022年，NOR Flash的行情也如其他存储产品一样经历下跌，但是宽泛的应用分布使其显示出了较强的抗跌性。如今，各厂商纷纷发力，是否意味着这个市场又进入了新的阶段。NOR Flash的特点是芯片内执行（XIP, eXecute In Place），其读取和SDRAM的随机读取形式类似，用户可以直接运行装载在NOR Flash里面的代码，这样可以减少SRAM的容量从而节约成本。因为其读取速度快，不易出错，多用来存储程序、操作系统等重要信息。因为在容量上限和成本的表现不如NAND Flash，进入智能机时代之后，存储巨头们渐对NOR Flash失去兴趣。中小厂商反而趁机崛起，以物联网设备、TWS 耳机、AMOLED、TDDI等产品的兴起为契机，将这个领域做得风生水起。据IC Insights的数据，2021年NOR Flash仅占整个闪存市场的4%，但NOR Flash产品的销售额飙升63%至29亿美元，NOR出货量增长了33%，平均售价则上涨23%。即便是在存储行业正在经历这个下行周期，NOR Flash的市场表现也优于DRAM。近年来，5G基站建设，物联网可穿戴智能设备，TWS耳机，AMOLED屏幕的火爆，以及TDDI将触控功能整合进入驱动IC，甚至汽车为保证数据的完整性，防止事故突然掉电导致数据丢失的情况下，要求必须搭载NOR Flash等等，这些各自领域均带来了对NOR Flash产品的明显需求。2016-2019年，NOR Flash市场迎来了拐点，销售额由最低迷时期的15.8亿美元增加至27.64亿美元。其中，汽车电子、工业控制、物联网设备、AMOLED和TDDI成为了NOR Flash市场增长的主要驱动力。也正是在这个时间点，国内企业通过成本优势和市场机遇切入市场，不断推进容量/制程的升级，形成成本/技术上的独特优势，并逐步形成从低到高的替代。最典型的就是兆易创新，其通过抓住SPI NOR Flash的渗透率提升和消费电子机遇，完成了容量与单价的快速上升并跻身产业前三。国内厂商的大量涌入也带来一个问题，由于门槛较低新进玩家较多，并且多聚集在消费电子赛道，当终端需求放缓时，市场的波动不免大幅增加。相关数据表明，从盈利能力与价值量的角度，营收规模较大的新兴企业集中在消费电子领域，其容量多集中于128Mb及以下。当前消费性NOR Flash因为供给过剩而价格续跌，原因就是消费电子的去库存化仍在进行。据国外媒体报道，由于TWS需求疲弱，导致NOR Flash价格走跌，第一季通用SPI接口256Mb NOR合约价季减9％达2.0美元，128Mb NOR合约价季减8％至1.1美元，已经连续二个季度下滑，创下2021年第二季以来的7季度新低。众多厂商纷纷在此时推出新品也莫不与此有关。业内人士指出，NORFlash的价格从去年一直跌到今年，市场竞争空前激烈，而这个赛道中有很多上市公司和预备上市的公司，因此不得不推出新品来提振业绩。为了化解应用端过于集中风险，厂商们也在不断扩宽赛道，汽车电子、5G基站、ARVR等都被认为具有很大增长空间。其中，汽车电子被行业所一致看好。头部厂商早已经开始了布局，旺宏NOR Flash已打进全球主要车用电子供应链，华邦电主攻车用及物联网应用有成，其安全性NOR Flash受到国际大厂青睐及采用。而兆易创新的SPI NOR Flash车规级产品2Mb~2Gb 容量已全线铺齐，可为市场提供全国产化车规级闪存产品。与消费级相比，车规级NOR Flash的可靠性要求、稳定性要求更为严苛，价值量更高。随着汽车智能化快速发展，车规级NOR Flash需求快速增长，预计未来汽车电子NOR Flash市场空间有望超过百亿人民币，成为NOR Flash最重要的分支市场。在汽车领域，NOR Flash是仪表板仪表组、信息娱乐系统和高级驾驶辅助系统(ADAS)的关键组件。即时启动(instant-on)是汽车仪表板要使用NOR Flash的主要原因，因其可以在芯片内直接执行程序，所以能立即启动汽车的基本功能，而NAND Flash则需要特殊软件才能控制程序。ADAS功能的复杂化正在推动智能传感器的普及，如前置摄像头、成像雷达，甚至激光雷达，因此将需要大量高密度NOR Flash。当前，汽车ADAS中接近82%的汽车摄像头都是由NOR闪存启动。此外，OEM和汽车制造商亦将信息娱乐系统视为下一阶段的发展焦点，相继运用NOR Flash开发创新车载资通讯系统，提供更令人愉悦的驾驶经验。更重要的是，NOR Flash将助力车厂打造更先进的动力管理系统，提升燃油效率，且不须以牺牲动力作为代价。国内汽车电子市场近期也异常火爆，对NOR Flash产品的需求在不断增加，为了获得市场先机，国内存储厂商们纷纷推出了自己的车规级产品。聚辰半导体自主研发的NOR Flash存储芯片产品已通过第三方权威测试认证机构的AEC-Q100 Grade 1车规级验证，并陆续在车载领域应用。资料显示，聚辰半导体的NOR Flash 512Kb / 1Mb / 2Mb / 4Mb / 8Mb / 16Mb / 32Mb容量产品全面按照车规标准设计，首批512Kb / 1Mb / 2Mb / 4Mb产品此次获得了第三方权威机构颁发的AEC-Q100 Grade 1证书。普冉股份则在车载存储器产品方向进行了全面的布局和规划，期望实现相关产品的量产和业务快速增长，完善车载产品开发体系和整个应用的推广。目前，部分车载产品完成了 AEC-Q100标准的全面考核，实现了批量出货和交付。其中，主要的车载产品是EEPROM产品，应用于车身摄像头、车载中控、娱乐系统、智能座舱等，此外，公司有一颗NOR Flash的小容量产品通过了车载A2认证，后续会继续推进车载领域的相关进展。对于众多国内厂商进入汽车市场，爱集微咨询认为，中国作为新能源汽车的生产大国，在地缘性政治的背景下，供应链去美化是供应链安全的保证，目前国产公司在车用功率器件、微控制器、显示屏及驱动触控芯片、摄像头等都在加大国产化力度。在存储器方面，传统DRAM和NAND已经在小容量车规级存储器上有所布局，但大容量适配平台和ADAS系统的存储器还需要时间，而NORFlash也是车载中非常关键的存储介质，对快速启动和仪表参数的存储有着得天独厚的技术优势，国产存储器厂商布局NORFlash因此顺理成章。不过，国内厂商接触汽车行业尚短，经验积累也比较薄弱，要想继续突破不单在技术上要更进一步，还要采取更为灵活的策略。对此，爱集微咨询建议，国产NORFlash厂商还需要进一步在制程上接轨头部大厂，在功耗和可靠性上加强与车载Tier 1厂商之间的配合，并且做好制造的供应链安全布局，把握住上游Foundry的产能。中国庞大的汽车市场和快速崛起的汽车产业给了车用存储巨大的发挥空间，在车用NOR Flash这个新兴赛道上，国内厂商有望率先创造出属于自己的天地。3、芯和半导体“射频系统仿真解决方案”全面进入云平台时代
近几年，随着全球从4G到5G的演进，对于以智能手机为代表的移动终端设备来说，射频模块需要处理的频段数量和频率大幅增加，带来手机内部射频模块的复杂度加剧，整个射频系统的高效且精准的分析变得越来越重要。有没有一种可靠的方法，能够在降低物料成本的同时提高调试效率？有没有办法，能够规避算力限制，缩短仿真分析的时间，从而加快产品上市的进程？相比于4G手机的2到4根天线，5G手机的天线数目增加到了8到12根，需要支持的频段及频段组合也在4G时代不超过10个频段逐渐增加到几十个频段，各个band之间的匹配调试难度越来越大。同时，5G射频复杂度和集成度的显著提升，导致手机使用分立器件方案的射频调试时间会增加到原来的3到5倍，仅仅通过工程师手动调试的方式已经无法满足产品上市迭代的速度。工程师更需要在设计前期同步评估系统性能，借助于计算机辅助仿真的方式，模拟实际信号通道的质量，从而加快产品上市的时间。射频元器件的数目，与天线数目及频段强相关，这意味着随着5G频段的出现，射频元器件的数目出现了急剧地增长。与此同时，由于结构设计的要求，5G手机留给射频前端的PCB面积是有限的，采用分立元件方案的面积大大超过了可用的PCB面积。在5G手机中，就自然出现了对“高性能和高集成度”模组的需求，同时对于模组的自动化建模流程提出了考验：一方面，仿真工具需要确保能够精准抽取到模型材料和结构特征，另一方面仿真工具需要将建模流程设置得尽量便利流畅，两厢结合，才能切实地帮助工程师加速模组产品的开发流程。在整个射频系统设计开发的流程中，仿真和验证变得越来越重要，这时，他们往往需要调用大规模的算力集群。所以，传统的射频系统工程仿真分析高度依赖于包括高性能计算集群在内的IT基础架构。在这样大的算力环境下，整个集群算力的管理和调度、算力集群和存储系统的交互，需要一支非常专业的IT团队进行操作。同时，随着设计周期和上市时间的缩短，仿真分析对高性能计算的需求时常波动很大，且具有不可预测性，基于满足峰值需求来创建IT基础设施对于众多设计企业来说，不仅变得很有挑战而且也不经济。云技术的无限算力与EDA技术融合，可以为开发者提供实时可用的算力、更加灵活高效的开发环境、更加优化的成本，并缩短产品上市时间。EDA上云正在成为一种趋势。手机终端中射频链路主要包含PCB板，有源器件（PA放大器、开关等）和无源器件（电阻、电感、电容）。PCB板从早期的单层、双层，到高密度多层板方向发展，其主要特点就是线宽和线间距逐渐缩小，同时所带来的电磁效应不可忽略。PCB版图一般由EDA设计工具生成，有源器件的模型一般由厂家提供的S参数表征，无源器件一般由Murata等厂商提供。芯和半导体提供了一整套关于射频通道质量分析和优化的解决方案（见图1），包含无源电磁提取、链路仿真和场路协同仿真。通过自动化的仿真流程，为工程师提供了更大的灵活性。在5G通信系统中，射频通道发挥着关键的作用，射频系统的性能好坏会直接决定通信质量的好坏。芯和半导体的XDS工具集成了高精度2.5D全波电磁场求解器，针对射频PCB中的无源结构，能够准确分析过孔和传输线的效应。设计者可以将设计文件直接导入到XDS中完成建模，利用其强大的版图编辑功能，工程师可灵活地对版图进行操作。在XDS中能够方便快捷的进行叠层和材料的设置，并能够根据器件信息自动添加端口，为整个建模和仿真流程提供了极大的便利性。射频系统包含发射端（TX）和接收端（RX），涉及到的器件众多，包含功率放大器、低噪声放大器、滤波器、开关、双工器、天线以及电阻、电容、电感等器件，除了对射频 PCB进行电磁场仿真之外，要想准确的评估链路的质量，还需要将上述器件与射频PCB进行场路联合仿真，厂家一般会提供这些器件的S参数模型用于电路仿真。XDS可以生成电磁场仿真模型的symbol，再与器件S参数模型进行电路级联，为用户提供更便捷的场路联合仿真方案（见图3）。由于成本控制的要求和手动调试难度加大，在匹配调节设计的过程中，我们通常希望通过仿真的手段在不同的参数组合中寻找到性能更优的目标参数，达到最优的匹配设计。XDS中提供了一系列的优化模块（见图4），可以帮助用户实现快速的匹配设计。借助XDS中的参数化优化、目标优化、敏感度分析、统计分析、实时调谐等优化功能模块，设计者可以快速实现匹配电路中器件的优化设计，快速找到物料成本最低并且性能最好的参数组合，实现系统的最优设计。使用仿真手段进行优化设计已成为产品研发的常态，XDS仿真软件具备多种优化分析工具，能够协助设计者快速找到仿真优化设计最优解，帮助企业更高效完成更具挑战性的产品设计。解决了前面几个挑战，面对越来越多设计企业对仿真算力的需求，芯和半导体发布了“电子系统设计仿真云平台”解决方案。该平台已登录包括微软Azure、亚马逊AWS、华为云在内的全球领先的云服务平台，全面进入EDA云平台时代，保证了高性能EDA仿真任务所需的扩展性和敏捷性。芯和半导体“电子系统设计仿真云平台”解决方案（图5）集成了差异化的电磁场仿真技术与软件、本地集群仿真技术、MPI仿真技术、云计算技术和分布式集群管理技术，使芯片、封装、系统设计大规模电磁仿真EDA的资源管理和资源统一调度使用成为了可能。芯和云平台解决方案通过使用优秀的管理系统和管理策略，达到资源统一分配和管理，不仅增加了各计算中的资源利用率，降低了计算中心的维护和部署成本，同时发挥芯和仿真软件的多尺度电磁引擎、智能网格与并行计算能力，为电子系统设计中的芯片，封装，PCB，系统进行大规模复杂电磁场仿真提供了可能。芯和半导体的XDS射频系统仿真平台基于自主知识产权的电磁场算法技术，支持多核并行和分布式并行，非常适合云环境的应用，并通过自带的调度程序JobQueue，管理计算资源和安排仿真作业的优先顺序，为工程师提供了高效的从射频芯片、射频模组到射频系统的整体解决方案。云服务平台能提供充沛的算力及弹性供给、及安全可靠的本地化IT 基础设施。两者有机结合，能为国内的射频设计企业提供快速响应市场需求、自如伸缩计算资源的能力，极大地降低设计与仿真的耗时与成本。XDS提供从原理图的路级设计仿真到版图结构的设计与电磁仿真的全流程支持。XDS内置线性电路网络求解器与强大的多层结构矩量法加速求解技术，可以支持进行场路联合仿真。XDS可导入主流第三方版图设计文件，对版图进行切割，优化，原理图化分析仿真等。XDS集成原理图环境和版图环境两个设计仿真模块，和与之配套的电路仿真引擎和电磁场仿真引擎。另外提供了完整的高级分析辅助模块，可以帮助用户提高设计效率、优化性能、统计分析等。原理图支持层次化的设计思路，可以帮助用户抽象设计思想，提高底层电路模块重复利用的效率。可以对原理图进行频域扫描分析，Noise分析以及在基础分析之上进行高级分析。支持基本元件Element包含如R、L、C、S参数、Spice Netlist等；支持常用微带线，带状线，同轴线等传输线；支持常用微带结构如阶梯跃变、拐弯、T连接等；支持常用RF行为模型，如混合桥、定向耦合器、环形器、功分器、移相器、移时器等；支持理想传输线的基于电长度和物理长度配置的开路、短路模型；支持BAW的mBVD和mason模型，支持SAW的COM模型，支持对第三方分立器件L,C的库导入管理。
版图设计环节支持用户进行常规的2D几何编辑，如支持对线、矩形、圆型、多边形、扇形进行布尔运算，并且支持对象的参数化设计。支持将外部数据导入版图设计环境，并支持版图和原理图之间的同步设计。XDS内置强大的多层结构矩量法加速技术，快速精确模拟复杂电磁效应，包括导体趋肤效应、邻近效应和多介质损耗。XDS支持多核计算的核心求解器能显著降低EM仿真时间、提高设计效率。XDS内置Smith Chart功能，能够为用户提供便捷的匹配网络生成功能。匹配元件包括L，C，R，Transformer等，可以支持一键将匹配网络添加到原理图。为了辅助设计分析，软件支持用户对设计变量Tuning并实时观察变量对结果的影响程度；XDS能够优化设计目标，内置了丰富的优化引擎，如Quasi Newton(梯度)，Pattern Search, Genetic Algorithm，Random等；为了提高设计的鲁棒性，内置了DOE分析，平衡设计参数对设计目标的影响，内置Yield分析功能，通过设计变量的来评估设计指标的性能分布。XDS作为射频系统设计与仿真平台，可以对无源射频电路结构进行设计、仿真、优化分析，输出插损、回损、隔离度等射频指标。独特的SAW/BAW滤波器的设计流程，支持滤波器原理图设计优化和快速版图生成。集成射频系统原理图与版图设计环境，并支持多维度协同设计流程，包括原理图-版图协同设计、场-路协同仿真和芯片-封装协同设计；
内建专门为SAW/BAW滤波器定制的设计流程。支持常用拓扑的一键生成，BAW元件支持mBVD、Mason模型，SAW支持COM模型；
内置多种业内领先的电磁仿真引擎和SAW仿真引擎，满足射频系统从DC至THz的仿真要求，内嵌3D MoM Solver可以快速精确模拟复杂电磁效应，充分考虑导体趋肤效应、邻近效应和多介质损耗；基于2D RLGC求解器，可以对各种传输线进行仿真；内嵌线性电路网络求解器（Linear Network Analyzer）；内嵌COM仿真引擎，支持对SAW的优化设计；
内嵌多种算法以支持射频系统和滤波器优化、调谐、DOE和Yield分析，从而快速帮助用户自动调优，找出最佳设计点并提高产品良率；
内置Smith Chart和强大的仿真后处理能力，以快速实现多端口网络阻抗匹配以及S参数后处理。
集成层次化的原理图与Layout设计环境，便于用户抽象设计思想，重复利用底层电路模块，提高设计效率。并且能够支持层次化设计后的场路联合求解仿真；
支持版图编辑与参数化，可以对版图进行基本图形操作与可变图形用户参数定义；
支持原理图中所有元件的参数化；
支持LC无源滤波器拓扑生成向导，可一键生成目标滤波器拓扑；
支持Smith Chart辅助用户寻找匹配网络，并将匹配网络导入用户原理图；
支持Noise Figure仿真分析；
支持电路稳定性分析（mu）；
新增一种端口类型Explicit Grounding；
新增理想传输线基于电长度和物理长度配置的开路、短路模型TMLE、TMLEOC、TMLESC、CTMLE、微波无源电路等；
支持Yield分析，利用设计参数和实际物理参数概率分布来评估设计指标良品率。
4、知情人士：苹果供应商正崴印度工厂火灾或引起供应链中断集微网消息，日前苹果数据线供应商正崴（Foxlink）的印度工厂发生火灾，导致工厂内将近一半的机器损毁，损失超过1200万美元。据路透社最新报道，知情人士透露，正崴印度工厂不太可能在火灾事件发生后两个月内恢复全面运营，引发了对iPhone制造商供应链中断的担忧。知情人士称，正崴在印度安得拉工厂的两个独立设施中总共运营着10条装配线，其中四条完全受损，不太可能在两个月内恢复运营。其余六条装配线将于本周晚些时候恢复运营，即使它们没有受到火灾事件的影响，但由于IT服务器损坏而无法运行。另一位知情人士表示，正崴是苹果在印度的主要供应商，“印度制造或从印度发货的iPhone可能会出现供应链中断。”据悉，正崴今日早些时候对火灾事件回应称，27日印度厂确实发生火灾，无人员伤亡，火灾损失尚待清查，厂房及设备皆有保险。5、东京电子CEO：芯片需求将从明年起暴增 重返“指数增长”集微网消息，据彭博社报道，日本芯片制造设备制造商Tokyo Electron Ltd. （东京电子）表示，尽管通货膨胀和地缘政治不确定性挥之不去，但明年半导体行业将恢复指数增长。回顾目前的最低点，东京电子首席执行官 Toshiki Kawai 表示，自动驾驶和元宇宙开发等长期趋势将增加对数据存储和处理能力的需求。“到2030年，全球必须处理的数据量将增长十倍，然后到2040年增长百倍，”59岁的Kawai在接受采访时说，“一段时间以来，人们一直在谈论我们生活在大数据时代——但如果你问我，我仍然认为我们处于小数据时代。”然而，东京电子可能会面临中美紧张局势的不利影响，最近席卷日本和荷兰以遏制向中国出口先进芯片和芯片制造技术。日本可能采取何种出口管制措施的细节尚不得而知，但这家东京公司的业务很可能会受到直接影响，目前该公司20%以上的销售额来自中国。“到处都需要芯片，包括中国、日本、美国和欧洲，”河井说，但他拒绝就任何潜在的贸易限制发表具体评论。“只要我们继续保持全球第一的地位，我们就应该始终能够以这种或那种方式找到业务。这就是我们的立场。”尽管如此，Iwai Cosmo Securities分析师Kazuyoshi Saito 表示，如果当前的下跌趋势持续时间长于预期或中国出口管制过于繁重，他的观点可能会过于乐观。为了打造未来的尖端芯片，东京电子的客户将不得不在他们的生产线中采用新工艺——例如硅晶圆键合——而这正是该公司认为其机器具有优势的地方。Kawai表示，未来几年，东京电子将在芯片制造设备市场占据更大份额，并指出在未来的堆叠内存架构中部署键合技术，可以将更多数据存储在更小的封装中。Kawai的评论与全球最大的代工芯片制造商台积电在1月份报告财报时所说的一致。台积电首席执行官魏哲家表示：“我们预测半导体周期将在 2023 年上半年的某个时候触底，并在今年下半年看到健康复苏。”集微网消息，据Business Korea报道，由于美国对中国的制裁和COVID-19的影响，2022年三星电子在华子公司的经营业绩大幅恶化。更糟糕的是，美国政府最近宣布将设置技术限制，以防止韩国半导体公司在其在中国的工厂生产高度先进的半导体。根据三星电子的审计报告，在中国销售半导体和显示器的上海三星半导体(SSS) 2022年销售额为213,706亿韩元，较上年的323,261亿韩元减少近10万亿韩元。三星在西安的另一家子公司三星中国半导体（SCS）主要生产NAND闪存，2022年净利润为6338亿韩元，较2021年的1.7088万亿韩元下降三分之一。在这种情况下，美国政府表明有意限制中国半导体工厂的技术升级，使韩国半导体行业处于红色警戒状态。当被问及一年后会发生什么时，美国负责工业和安全的商务部副部长Alan F. Estevez表示：“很可能会对芯片制造商在中国生产的半导体数量设置上限。” 授予三星的出口管制宽限期结束。这位美国官员在韩美关系会议上发表讲话2月23日，韩国基金会(KF)和战略与国际研究中心(CSIS)在华盛顿特区举办了经济安全论坛。Estevez的言论暗示，芯片制造商将不允许在中国生产超过一定技术水平的高科技产品。如果真的采取措施，韩国半导体制造商几乎不可能转向微细加工工艺。额外的投资和销售扩张势必会受到不利影响。三星电子分别在中国西安和苏州运营着一家NAND闪存生产厂和一家半导体后端加工（封装）厂。三星电子唯一的NAND闪存海外基地——中国西安工厂，月产27万片12英寸晶圆NAND闪存，占三星电子每月680,000个NAND总产量的40%。三星电子的96层和128层NAND闪存就是从这里推出的。三星电子在中国进行了大量投资，以实现在中国的生产规模。美国的限制对中国产生了明显的影响。三星电子在2022年的经营业绩大幅下滑。这家韩国芯片制造商预计将在技术投资之后面临生产限制。最重要的是，他需要全面审查工艺转换计划，以提高他的半导体竞争力。美国对中国的半导体出口管制于2022年10月生效，其在中国的芯片工厂将暂停一年。然而，在将设备带入中国工厂时，三星电子遇到了麻烦：其在中国的半导体生产基地正在继续进行工艺升级和设备维护。随着内存规格的提升，制程数量增加，需要更先进的生产设备。此类先进设备由美国的应用材料公司、Lam Research公司和KLA公司提供。然而，美国政府限制生产超过一定技术水平的芯片的政策阻碍了他们的工艺升级。如果该芯片制造商因美国制裁而无法进口美国设备进行工艺改造和扩产，它们将陷入生产占总产品40%至50%的遗留产品而没有技术进步的危机。更多新闻请点击进入爱集微小程序阅读
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