第四类半导体材料特性较第三类半导体于高功率终端拥有优异表现，考量上游衬底及磊晶生长难度，第四类半导体氧化镓β-Ga2O3逐渐脱颖而出，由于β-Ga2O3衬底长晶生成方式与硅(Si)大致相同，未来有望随更多上游材料商加入使成本快速下降。现行β-Ga2O3技术发展多以日本、美国及国內学术及研究单位为主。
第四类半导体因具备较宽禁带(bandgap)、崩溃电场(breakdown field)、热导率(thermal conductivity)及熔点温度(melting temperature)特性，较第三类半导体于高功率终端拥有更多的想象空间，由于上游衬底与磊晶端生成难度较低，有利未来β-Ga2O3脱颖而出。DIGITIMES Research观察，β-Ga2O3上游衬底及磊晶端工艺较第三类半导体容易，有助后续β-Ga2O3供应链稳健发展。
虽β-Ga2O3供应链尚处发展阶段，然上游β-Ga2O3衬底生成方式与现行常见Si大致相同，且β-Ga2O3磊晶生成温度较第三类半导体低，未来待更多上游材料业者加入，β-Ga2O3供应链成本有望迅速下降……相关文章，请上DIGITIMES官网。
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