集合SiC T-MOSFET和Si IGBT优点的新型ANPC功率模块，满足高度紧凑型1500-V并网逆变器的需求
来源:宽禁带半导体技术创新联盟 发布时间:2022-12-08 
分享至微信
分享至微信
[ 新闻来源：宽禁带半导体技术创新联盟，更多精彩资讯请下载icspec App。如对本稿件有异议，请联系微信客服specltkj]
存入云盘 收藏
举报
全部评论
暂无评论哦，快来评论一下吧！
宽禁带半导体技术创新联盟
开创IC领域，共创美好未来!
查看更多
相关文章
东芝推出新型650V第3代SiC MOSFET
2025-06-17
东芝推出四款新型650V第3代SiC MOSFET
2025-06-17
东芝开发新型SiC功率模块，散热性能大幅提升
2025-06-11
东芝推出采用DFN8×8封装的新型650V第3代SiC MOSFET
2025-05-25
复旦大学研发新型SiC MOSFET器件
2025-06-16
热门搜索
高通进军数据中心市场
海光信息合并中科曙光
华为
台积电
中芯国际
联发科
高通
英特尔
芯片