世界先进0.35um 650V氮化镓制程正式量产-icspec

世界先进0.35um 650V氮化镓制程正式量产

来源:宽禁带半导体技术创新联盟发布时间:2022-11-23

分享至微信

11月22日，世界先进宣布，其领先的八英寸0.35微米650 V的新基底高电压氮化镓制程（GaN-on-QST）已于客户端完成首批产品系统及可靠性验证，正式进入量产，为特殊集成电路制造服务领域首家量产此技术的公司。

世界先进指出，2018年以Qromis基板技术（简称QST TM）进行八英寸QST基板的0.35微米650 V GaN-on-QST制程开发，于今年第一季开发完成，于第四季成功量产，世界先进同时已和海内外整合元件制造（IDM）厂及IC设计公司展开合作。

据悉，世界先进0.35微米650 V GaN-on-QST制程除了650 V的元件选择外，也提供内建静电保护元件（ESD），客户得以更便利的进行设计选择。此外，该制程除具备更优异的可靠性与信赖性，针对更高电压（超过1000 V）的扩充性，世界先进也已经与部分客户展开合作，以满足客户的产品需求。

日前，世界先进公布了2022年Q3业绩，公司第三季合并营收约为新台币133.28亿元(约合人民币30.22亿元)，同比增加12.2 %；毛利率约为45.0%，营业利益率则约为33.4%。

来源：化合物半导体市场

icspec【芯片求购】https://www.icspec.com/inquiry/index/1/0

[ 新闻来源：宽禁带半导体技术创新联盟，更多精彩资讯请下载icspec App。如对本稿件有异议，请联系微信客服specltkj]

全部评论

暂无评论哦，快来评论一下吧！

宽禁带半导体技术创新联盟

开创IC领域，共创美好未来!

2024-11-06

2024-10-10

2024-10-14

2024-11-14

2024-10-25

热门搜索