南大光电:公司ArF光刻胶主要聚焦28cm~90nm工艺节点
来源:半导体前沿 发布时间:2022-11-19 分享至微信


11月18日,南大光电在投资者互动平台上就“贵司可用于14nm的ArF光刻胶开始投产,正在对客户交付。是否如此?”等问询问题表示,公司ArF光刻胶目前主要聚焦28cm-90nm工艺节点的产品验证。其同时表示,公司ArF光刻胶在国内头部芯片制造企业进行验证,目前有多款产品正在验证,每个产品的验证开始时间不同。


此前,南大光电发布公告称,公司光刻胶技术研发始终坚持完全自主化路线,光刻胶研发中心具备了研制功能单体、功能树脂、光敏剂等光刻胶材料的能力,能够实现从光刻胶原材料到光刻胶产品及配套材料的全部自主化。公司正在自主研发和产业化的ArF光刻胶(包含干式及浸没式)可以达到90nm-14nm的集成电路工艺节点,将实现高端光刻胶的进口替代,提升国家关键材料领域自主可控水平,解决“卡脖子”技术难题。


据了解,南大光电控股子公司宁波南大光电负责组织实施“ArF光刻胶开发和产业化项目”,研发的产品成为国内通过产品验证的第一只国产ArF光刻胶,标志着国产先进光刻胶产业化取得关键性的突破。目前公司产品已在下游客户存储芯片50nm和逻辑芯片55nm技术节点的产品上通过认证,同时多款产品正在多家客户进行认证,持续推动光刻胶及配套材料产品的研发、验证和产业化。


此外,南大光电透露,关于符合公司要求的缺陷检测设备尚未完成采购,公司将根据市场供应情况和验证进度确定采购策略。


来源:集微网


作为新一代通信、新能源汽车、高速列车等新兴战略产业的核心材料,以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体在《“十四五”规划和2035年远景目标纲要》中被列为重点。


碳化硅6英寸晶圆产能处于飞速扩张期,同时以Wolfspeed、意法半导体为代表的头部厂商已经达产8吋碳化硅晶圆。国内厂商如三安、山东天岳、天科合达等厂商主要以6吋晶圆为主,相关项目20余个,投资逾300亿元;国产8吋晶圆技术突破也正迎头赶上。得益于电动汽车及充电基础设施的发展,预计2022-2025年间碳化硅器件的市场增长率将达30%。衬底未来几年内依然是碳化硅器件的主要产能限制因素。


氮化镓器件目前主要由快充功率市场和5G宏基站和毫米波小基站射频市场驱动。GaN射频市场主要由Macom、Intel等占据,功率市场有英飞凌、Transphorm等。近来年,国内企业如三安、英诺赛科、海威华芯等也在积极布局氮化镓项目。另外,氮化镓激光器件快速发展。GaN半导体激光器在光刻、存储、军事、医疗等领域均有应用,目前年出货量在3亿支左右,并且近期以20%的年增长率进行增长,预计2026年市场总量达到15亿美元。


第3届第三代半导体论坛将于2022年12月28日召开。多家国内外龙头企业参会,重点关注碳化硅、氮化镓上下游产业链;最新衬底、外延、器件加工工艺和生产技术;展望氧化镓、氮化铝、金刚石、氧化锌等宽禁带半导体前沿技术研究深度进展。并将参观国内第三代半导体材料与设备产业园区和重点企业。


会议主题


1.美国芯片禁令对中国第三代半导体发展的影响

2.全球与中国第三代半导体市场及产业发展现状

3.晶圆产能供需与第三代半导体市场机遇

4.6吋SiC项目投资与市场需求展望

5.SiC PVT长晶技术液相法的现状及发展

6.8吋SiC国产化进程和技术突破

7.SiC市场以及技术发展难题解决方案

8.GaN射频器件及模块在5G基站方面的应用

9.GaN在快充市场中的发展及替代情况

10.GaN激光器件技术和市场应用

11.国产化与技术及设备发展机遇与挑战

12.其他第三代半导体发展前景

13.工业参观与考察(重点企业或园区)


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