PMOS做信号开关/NMOS做电平转换
1
PMOS与NMOS
如下是两个MOS管的图例：
先把结论放前面
PMOS适合做信号开关，信号必须是从S极输入。这个信号可以是小信号，也可以是电源。
NMOS适合做电平转换，必须是从低电压转到高电压，逻辑不变。PMOS不能。
利用PMOS和NMOS的G极和S极，可以做逻辑转换，电平转换。
2
PMOS做信号开关
下图是一个典型的PMOS信号开关应用，注意必须是从S极向D极传送信号，并且D极没有上拉电阻，有一个大的下拉电阻。
逻辑如下：
EN=1.8V时
A=0V，管子截止，B=0V；
A=1.8V，管子截止，B=0V（实际不是0，见解释1）.
如上A不能正常传送到B，相当于开关断开。EN=0时
A=1.8V，管子导通，B=1.8V；
A=0V，管子截止，B=0V；
如上A能正确传送到B，相当于开关导通。
解释1：
EN=1.8V，A=1.8V，管子截止，B点电压并不是0，而是R199，寄生二极管，R200的分压。我们仿真的结果是0.689V，仿真过程如下：
开始仿真之前，解释一下R200为何是100M，通常B点会连接一个IC的IO输入，对于输入，如果软件没有配置上下拉电阻（百K级别），输入电阻将是无穷大，假设就是100Mohm。
下图是仿真电路，D2相当于寄生二极管。
仿真结果如此，但为什么是这个结果？
二极管有反向截止特性，为什么没有阻隔电压？
有没有办法使VB=0V？
这要从二极管的反向特性着手来理解这些疑问，下图是一个二极管的IV曲线：
由图可知，二极管反向偏压后，从0到-200mV，其反向电流随反向电压VF的（绝对值）增大而增加，近似计算其阻抗为8Mohm左右。
从-200mV开始，VF（绝对值）增加，其反向电流一直维持在-7nA左右。反向偏压一直增加，这个值基本不变。一直到规格书上标称的VF最大值75V后二极管击穿。VF=-0.2V~-75V之间，其电阻从28Mohm到10.7Gohm逐渐增加；
若要想二极管起到良好的阻隔电压的作用，就要尽量使二极管占有越大的压降。比如上图仿真电路两种，当VB=0V时，二极管两端压差最大，此时二极管起到了最好的阻隔电压效果。换句话说，要尽量使二极管工作在上图所示的“理想截止区域”。
在理想截止区域，反向电流7nA是关键线索，如果B点的对地电阻过大，导致总电流小于7nA，二极管的电压阻隔作用就会比较差。
B点对地阻抗到底是多少，VB才会等于0V呢，显然B点对地阻抗为0时，才能实现。现实情况不可能，下面是几组数据：
R2=200K，VB=1.38mV，I=6.89nA
R2=1M，VB=6.89mV，I=6.89nA
R2=10M，VB=68.9mV，I=6.89nA
R2=50M，VB=345mV，I=6.89nA
R2=100M，VB=689mV，I=6.89nA
R2=200M，VB=1.38V，I=6.89nA
R2=300M，VB=1.72V，I=5.72nA
重点：通常，B点对地阻抗是百K级别，VB的电压都会很小，可以简单计算为Rx7nA，这时二极管的电压阻隔作用最明显。
既然PMOS能做开关，那么能用NMOS做信号开关吗？答案是否定的。
如下图 ：
接法一：EN=0V，NMOS才有可能截止，寄生二极管的存在，导致A高B也高，无法截止。
接法二：
EN=0V，NMOS截止（假设B点对地阻抗为100K）；
EN=1.8V，管子导通，A拉高到1.8V，B也被拉高，瞬间Vgs=0V，管子又被截止。
因此NMOS不能用作信号开关，仿真结果如下：
凡事都有例外：如果EN电压明显高于A点最高电压，例如EN=5V，A=1.8V。这时，即使B=A=1.8V，Vgs=5-1.8=3.2V，管子仍然是导通的。
因此当EN高电压明显高于（至少大Vgsth）传输信号的最高电压时，NMOS也能做开关使用。但一般不用这种方法。
3
NMOS做电平转换
下图是NMOS做电平转换的典型电路，要点是信号从低往高转低，从S极到D极。
逻辑如下：
A=1.8V，NMOS截止，B=3.3V；
A=0V，NMOS导通，B=0V；
如果是高电平往低电平转换，低频信号用电阻分压即可。
对上图电路做了一下仿真，100KHz信号能顺利传输。
同样用DS极传送信号，PMOS不能用来做电平转换。
NMOS的其他用法：
接法一：用NMOS，必须高电平转低电平，且高电平明显高于低电平。同样实现电平转换且逻辑不变，100KHz没问题。
在NMOS的S极上接电阻的方式属于“低端”接法，很少用。
常用的是“高端”接法，即在D极上串电阻，下面接法：
接法二：用NMOS，不限转换电平方向，可高电平转低电平，也可以低电平转高电平。缺点是逻辑变化了，且高频特性差。
PMOS也有上述类似的接法。
总结：
PMOS适合做信号开关，信号必须是从S极输入。
NMOS也能做信号开关，信号从D极输入，前提是G极的使能电压要明显大于D极信号的最高电压。
NMOS适合做电平转换，必须是从低电压转到高电压，逻辑不变。PMOS不能。
利用PMOS和NMOS的G极和S极，可以做逻辑转换，电平转换。
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