经济部修正产创条例 10 条之 2 草案、也被外界称为「护国神山条款」，行政院会明 (17) 日将讨论通过，其中前瞻研发支出抵减率高达 25%，为产创最高抵减，一旦修法通过，台积电 (2330-TW)(TSM-US)，联发科 (2454-TW) 等半导体大厂都将因此受惠，协助台厂维持半导体产业韧性及巩固关键地位。

对此，台湾半导体产业协会 (TSIA) 表示，产创条例修法对产业有利，将有助推动研发创新，协会持正面支持态度。

受地缘政治因素影响，半导体供应链在地化兴起，各国相继祭出半导体补助政策，以发展自有供应链。继美国晶片科技法案、日本半导体复兴计划、南韩 K 半导体战略后，产创条例 10 条之 2 被视为「台版晶片法案」。

「产业创新条例」10 条之 2 针对「于中华民国境内进行技术创新，且居国际供应链关键地位之公司」，符合一定条件者，将企业前瞻研发费用抵减营所税抵减率由 15% 大幅提高至 25%，先进制程设备投资则是当年度设备支出抵减营所税 5%，两抵减各自上限为不得超过当年度营所税 30％，两项合计不超过 50％。

申请公司须符三大条件，第一为须比照 OECD 最低税负制，有效税率在 15％以上；第二为同一课税年度内之研发费用与研发费用占营收比率达一定规模，设备投资也达一定门槛；第三为近 3 年内无违反环保、劳工或食安相关法律且情节重大情事。